具有纳米簇的半导体器件.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/19 19:13:48
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简介:

一种制作具有纳米簇的器件的工艺。此工艺包括形成纳米簇(例如硅纳米晶体)以及在纳米簇上形成氧化势垒层以便阻止氧化剂在后续形成器件介质的过程中氧化纳米簇。在形成介质之后,至少部分氧化势垒层被清除。在一个实施例中,器件是存储器,其中,纳米簇被用作存储器的电荷储存晶体管的电荷储存位置。在此实施例中,氧化势垒层保护了纳米簇在形成存储器高压晶体管的栅介质时免受氧化剂的影响。

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