具有低栅极电荷的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管.pdf

一种沟槽MOSFET器件,其包括：(a)第一导电类型的硅衬底(200)(优选地为N-型导电性)；(b)在衬底上的第一导电类型的硅外延层(202),该外延层比衬底具有较低的多数载流子浓度；(c)在外延层的上部内的第二导电类型(优选地为P-型导电性)的主体区域(204)；(d)具有沟槽侧壁和沟槽底部的沟槽(206),其从外延层的上表面延伸入外延层并穿过器件的主体区域；(f)衬于沟槽内的氧化区域(210t),其包括覆盖至少沟槽底部的下段(210d)和覆盖至少沟槽侧壁的上部区域的上段；(g)在邻近氧化区域的沟槽内的导电区域(211g)；以及(h)在主体区域的上部和邻近沟槽内的第一导电类型的源极区域(212)。在这个实施例中,氧化区域的下段(210d)比氧化区域的上段的厚度要厚。