于主动区域中具有栅极接触的三维半导体晶体管.pdf

  1. 类别:专利
  2. 上传人:wuyuzegang
  3. 上传时间:2023/4/26 11:25:14
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简介:

一种于主动区域中具有栅极接触的三维半导体晶体管,该三维晶体管包含半导体衬底、连结至该衬底的鳍片,该鳍片包含横跨该鳍片的顶部的主动区域,该主动区域包含源极、漏极及在该源极与漏极之间的沟道区域。该晶体管更包含位在该沟道区域上方的栅极、以及位在该主动区域中的栅极接触,没有部分该栅极接触电性连结至该源极或漏极。该晶体管在制造期间是通过移除位在该栅极接触下方的该源极/漏极接触的一部分而达成。

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