CIS器件的深沟槽隔离形成方法、半导体器件结构.pdf

本申请公开了一种CIS器件的深沟槽隔离形成方法、半导体器件结构,涉及半导体制造领域。该方法包括在衬底上生长第一外延层；形成硬掩膜层；在第一外延层中形成若干个纵横排列的深沟槽；在深沟槽内形成第二外延层；在深沟槽内第二外延层的表面形成第一氧化层；利用多晶硅完全填充深沟槽；对衬底进行回刻蚀,露出深沟槽内第一氧化层的侧壁；在多晶硅顶部形成第二氧化层；去除硬掩膜层和第二氧化层上方的第一氧化层；快速生长第三外延层；对衬底表面进行CMP处理,在衬底上形成深沟槽隔离；解决了外延生长方式形成CIS器件的深沟槽隔离时,深沟槽交叉区域的顶部容易出现封口缺陷的问题；优化了深沟槽隔离的形成工艺,提升了器件性能。