SGT-MOSFET半导体器件的制备方法.pdf

本发明提供一种SGT-MOSFET半导体器件的制备方法,在第二沟槽区的侧壁和底部形成多晶硅层,所述多晶硅层包括位于所述第二沟槽区侧壁的第一介质层表面的侧壁多晶硅层,以及位于所述第一氧化层表面的底面多晶硅层,所述底面多晶硅层的厚度厚于所述侧壁多晶硅层的厚度；氧化所述侧壁多晶硅层和所述底面多晶硅层,直至所述侧壁多晶硅层全部氧化成初始第二氧化层,所述底面多晶硅层部分氧化成所述初始第二氧化层；去除所述初始第二氧化层以及位于所述第二沟槽区的侧壁的第一介质层,直至暴露出所述第一氧化层上的剩余的底面多晶硅层；氧化所述剩余的底面多晶硅层,在所述第一氧化层上形成第二氧化层,从而避免出现第一氧化层过薄。