半导体结构及器件.pdf

本实用新型提供一种半导体结构及器件,半导体结构包括：衬底、成核层、多个间隔排布的沟道及外延层；成核层形成于衬底上并覆盖衬底的上表面,为含Al氮化物层,晶向为(0001)晶向；沟道贯穿成核层且底部位于衬底中,将成核层划分为多个间隔排布的成核层平台；外延层为含Al氮化物层,形成于成核层平台上并覆盖成核层平台的上表面及沟道的开口。本实用新型通过沟道及成核层的结构,减少外延层在沟道上成核的几率,且进一步的通过成核层及外延层的材质的选择,增加外延层在成核层平台上成核的几率,以进一步的增大外延层在成核层平台及沟道上成核的几率差,制备具有良好的平整性及完整性的外延层。