替代CMP！牛津仪器推出全新碳化硅外延衬底制备工艺PPDE

牛津仪器科技（上海）有限公司

2022/09/05 17:59

8月19日，牛津仪器等离子体技术部宣布了一种新的制备SiC外延衬底的替代方法。SiC衬底的等离子体抛光已被证明是化学机械平坦化（CMP）的优越且与兼容HVM的替代方案，同时减轻了与CMP相关的重大技术，环境和供应链问题。

牛津仪器的等离子体抛光干法蚀刻（PPDE）工艺是化学机械平坦（CMP）工艺的直接即插即用的替代品，可轻松集成到现有的工艺流程中。多年来，SiC衬底一直采用CMP工艺制备，但却遇到了不良操作问题，整个行业都在努力需求解决方案以满足对SiC衬底日益增长的需求。由于半有毒的浆料副产物，在SiC衬底工厂中运行CMP对环境的影响很大，并且该过程所需的大量用水量是浪费的。此外，抛光垫和特种化学品在充满挑战的供应链环境中带来了巨大的消耗成本。此外，CMP工艺本身就不稳定，因为浆料化学品和抛光垫被消耗，从而将漂移引入工艺管路。PPDE是一种稳定的非接触式工艺，可减少处理损失，并允许加工更薄的晶圆，每个晶锭可以产生更多的晶圆，并能够发展到200mm SiC衬底。

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“有一个令人信服的技术和商业案例，可以选择等离子体表面处理来生产外延就绪的SiC衬底。从技术角度来看，我们有一条更薄的晶圆路线，具有更少的翘曲和出色的外延就绪质量，一个强大的商业案例，可以降低成本和复杂性，此外还提供一种明显更清洁的绿色工艺，该工艺与晶圆厂兼容且可集成“，Plasma Technology的战略业务发展总监Klaas Wisniewski评论道，他还补充说：“这是一个非常有吸引力的主张，与当前方法相比，作为一种技术，它以更低的成本提供更好的结果，像这样进入生产流程，并实现SiC器件的环境可持续生产。

牛津仪器等离子体技术部将于2022年9月11日至16日在瑞士达沃斯举行的国际碳化硅及相关材料会议（ICSCRM / ECSCRM）上正式推出其PPDE工艺。在会议技术会议中，他们将展示他们最新的全晶圆外延和器件结果，利用其拥有专利的PPDE工艺，由其商业代工合作伙伴制造的晶圆制成。还将有机会在活动中亲自发言，讨论在大批量制造工厂中实施PPDE的问题。

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