氮化镓厚膜晶片

参考价：面议
供货周期： 一周
品牌： MaTeck
规格： 0
货号：
CAS号：
北京汇德信科技有限公司
铜牌会员 丨 23年 丨 生产商
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产品详情

2英寸氮化镓厚膜晶片

2" GaN Templates


产品型号

Item

GaN-T-N

GaN-T-S

尺寸

Dimensions

Ф 2"

厚度

Thickness

20 μm, 30 μm

30 μm, 90 μm

导电类型
Conduction Type

N-type

Semi-Insulating

电阻率
Resistivity(300K)

< 0.5 Ω·cm

>106 Ω·cm

位错密度
Dislocation Density

Less than 1x108 cm-2

包装

Package

在100级洁净室氮气保护下包装，每盒25片。


2英寸氮化镓自支撑晶片
2" Free-Standing GaN Substrates


产品型号

Item

GaN-FS-N

GaN-FS-SI

尺寸

Dimensions

Ф 50.8mm ± 1mm

厚度

Thickness

260 ± 20 μm

导电类型
Conduction Type

N-type

Semi-Insulating

电阻率
Resistivity(300K)

< 0.5 Ω·cm

>106 Ω·cm

位错密度
Dislocation Density

Less than 5x106 cm-2

抛光
Polishing Front Surface:

Ra < 0.2nm. Epi-ready polished

Back Surface: 1. Fine ground 2. Rough grinded

包装

Package

在100级洁净室氮气保护下包装，每片独立包装。


定制尺寸氮化镓自支撑晶片 
Free-standing GaN Substrates (Customized size)


产品型号

Item

GaN-FS-5

GaN-FS-10

GaN-FS-15

尺寸

Dimensions

5.0mm×5.5mm

10.0mm×10.5mm

14.0mm×15.0mm


厚度

Thickness

230 ± 20 μm,280 ± 20 μm

导电类型
Conduction Type

N-type

Semi-Insulating

电阻率
Resistivity(300K)

< 0.5 Ω·cm

>106 Ω·cm

位错密度
Dislocation Density

Less than 5x106 cm-2

抛光

Polishing

Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready polished 
Back Surface: 1. Fine ground   2. Rough grinded

包装

Package

在100级洁净室氮气保护下包装，每片独立包装。


产品型号

Item

GaN-FS-N-1.5

尺寸

Dimensions

Ф 38.1mm ± 0.5mm

厚度

Thickness

260 ± 20 μm

导电类型
Conduction Type

N-type

电阻率

Resistivity(300K)

< 0.5 Ω·cm

抛光

Polishing

Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready polished

Back Surface: 1. Fine ground   2. Rough grinded

包装

Package

在100级洁净室氮气保护下包装，每片独立包装。


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