方案摘要
方案下载应用领域 | 半导体 |
检测样本 | 其他 |
检测项目 | |
参考标准 | / |
对于光伏(PV)和薄膜电池(TFB)来说,要在成本上与化石燃料和传统电池竞争,高制造成品率至关重要。CdTe/CdS和CdS/CIGS光伏器件的CdS层以及tbs的LiPON层的针孔导致良率损失和性能降低。扫描电镜(SEM)平面视图分析没有深度分辨率来确定孔是否完全穿透一层。
对于光伏(PV)和薄膜电池(TFB)来说,要在成本上与化石燃料和传统电池竞争,高制造成品率至关重要。CdTe/CdS和CdS/CIGS光伏器件的CdS层以及tbs的LiPON层的针孔导致良率损失和性能降低。扫描电镜(SEM)平面视图分析没有深度分辨率来确定孔是否完全穿透一层。
Attolight CL技术的优势在于:
通过对单元过程进行针孔检测,缩短了开发时间;可以比较工艺变量和沉积方法对针孔形成的影响。
在针孔检测过程中评估缺陷密度和成分梯度。
快速自动绘图:65秒内完成25 μm × 25 μm面积的绘图。
CL通过检测来自底层的光来检测针孔,如下图所示:
下面的SEM图像和CL图显示了该技术在SnO2化学镀液沉积的CdS上的针孔的实际应用。发射图谱如下:
CdS(扫描电镜中的光区):绿色(带隙)和红色(中隙缺陷状态)。
针孔(SEM中的黑色区域):蓝色(中间隙缺陷状态)来自孔底部的SnO2。
圆对应于单个CL点。圆直径=电子相互作用体积(100 nm@5keV)。
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