2017年1月5日,日本电子株式会社(董事长兼总裁 栗原权右卫门)宣布发布新一代肖特基场发射电子探针显微分析仪(EPMA)JXA-8530FPlus。
搭配场发射 (FE) 电子枪的电子探针显微分析仪( EPMA)是日本电子的特色。自2003年推出世界首台商业化的场发射电子探针显微分析仪(FE-EPMA)以来,备受赞誉的FE-EPMA就一直在金属、材料、地质行业及学术研究等领域有所应用。
作为第三代FE-EPMA,JXA-8530F在继承了JXA-8500F强力硬件(包括 FE 电子枪、电子光学系统和真空系统)的基础上,通过改进电子光学系统增强了分析和成像功能。仪器采用电脑操作进行数据的采集和分析,实现了微区分析。友好的PC控制操作环境,使得在极高的放大倍数下能够便利地进行快速、便捷的分析。
主要特征
肖特基热场发射电子探针Plus版本
肖特基热场发射电子探针Plus版本优化了角电流密度,允许对2μA或更高的探针电流进行分析,甚至在通过自动调整为正确收敛角的分析条件下,保证得到的二次电子图像已得到改进。
先进的软件
基于先进Microsoft Windows®的高级应用系统,包括
1)跟踪元素分析程序:通过添加5个光谱仪的收集来的数据来优化分析微量元素;
2)基于主要成分自动化的创建阶段图像;
3)自动化非平坦表面分析程序WDS可对不规则表面样品进行分析。
灵活的WDS配置
可以选择各种x射线光谱仪(WDS):罗兰圆半径的140毫米(140 r)或140毫米(100 r),2水晶或4水晶配置和标准或大尺寸晶体的混合体。
XCE(2 xtl) X射线光谱仪,FCS(4 xtl)X射线光谱仪和L(大2 xtl)x射线光谱仪140 r宽光谱范围,提供优越的波长分辨率和峰背比率。
100 r的H型x射线光谱仪提供高x射线强度。用户可以选择从这些光谱仪取决于需求。
组合WDS/EDS系统
JXA-8530FPlus附带JEOL 30 mm2硅漂移探测器(SDD)。高计数率SDD以及一个原位可变孔径可以EDS分析改进算法的条件。EDS光谱、地图和线扫描和改进算法可以同时获得数据。
多功能室
jxa-8530 fplus配有大量可扩展样品室,样品室交换,使您能够集成各种可选附件室。包括:
电子背散射衍射系统(EBSD)
阴极发光检测器(全色、单色、彩色高光谱)
软x射线发射光谱仪
空气分离器
高蚀刻率离子源
强大清洁的真空系统
JXA-8530FPlus采用一个强大的、清洁的真空系统,包括两条磁悬浮涡轮高真空泵。此外,提供了一个双阶段电子光学列的中间室,从而维持高真空电子枪腔内的微分抽水。添加可选的滚动泵和液氮创建最终的无油真空系统。
软x射线发射光谱仪(sx)
超高能量分辨率软x射线发射光谱仪是由先进材料多学科研究所,日本东北大学和日本电子有限公司等联合开发。可变线距(VLS)光栅可以同时检测(EDS),并允许检测Li-K常数与高灵敏度CCD光谱。这种光谱仪达到非常高的能量分辨率,支持详细化学键的状态分析。
显微镜使用 (相关显微镜)
通过x,y轴的坐标,可以把光学显微镜锁定在你感兴趣的位置,记录并转换成电子探针来对所选位置进行成像和分析。
主要参数
元素分析范围 | WDS:(Be)B to U,EDS:B to U |
X射线范围 | WDS谱:0.087-9.3nm,EDS能谱:20keV |
X射线光谱仪数量 | WDS:1-5可选,EDS:1 |
样品最大尺寸 | 100mm*100mm*50mm(H) |
加速电压 | 1-30Kv(每次0.1Kv) |
探针电流稳定性 | ±0.3%/h(10kV,50nA) |
二次电子图像分辨率 | 3 nm at WD 11 mm, 30 kV |
20 nm at 10 kV, 10 nA, WD 11 mm 50 nm at 10 kV, 100 nA, WD 11 mm | |
放大倍数 | ×40 to ×300,000 (WD 11 mm) |
扫描图像像素分辨率 | 最高5,120 × 3,840 |
计划销售数量
35台/年(第一年)
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