PECVD

仪器简介：
美国NANOMASTER公司PECVD(等离子增强化学气相沉积)系统能够沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质薄膜、光学薄膜和炭纳米管（CNT）等。可选用射频（RF）、空阴极高密度等离子体(HCD)源、感应耦合等离子体（ICP）源。该公司采用先进技术和稳定可靠的设计为您提供多方位的服务。
 
 产品型号：

NPE-3000 桌面型PECVD系统
NPE-4000 立式型PECVD系统

技术参数：
详述说明：

1) 平板尺寸：8”

2) 源直径：5”或8”

3) 气体输入管数量：4（两个反应气，一个载气，一个排空管）

4) 源距平板的距离：2”或者可调

5) 真空：低于E-7Torr，200L/sec涡轮分子泵及3.5cfm机械泵组合

6) 最大平板温度：800℃

7) 射频电源供应：600W，13.5MHz

8) 射频偏压：300W，13.5MHz

主要特点：
可以提供 NRP-4000 反应离子刻蚀（RIE）和PECVD双系统。

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