型号: | RPICP 140 |
产地: | 美国 |
品牌: | 考夫曼 |
评分: |
|
KRI 射频离子源 RFICP 140
上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中,射频离子源 RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 最佳的离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 就标准的型号而言, 可以在离子能量为 100~1200 eV 范围内获得很高的离子密度. 可以输出最大 600 mA 离子流.
KRI 射频离子源 RFICP 140 技术参数:
阳极 | 电感耦合等离子体 |
最大阳极功率 | 1kW |
最大离子束流 | > 500mA |
电压范围 | 100-1200V |
离子束动能 | 100-1200eV |
气体 | Ar, O2, N2,其他 |
流量 | 5-40sccm |
压力 | < 0.5mTorr |
离子光学, 自对准 | OptiBeamTM |
离子束栅极 | 14cm Φ |
栅极材质 | 钼, 石墨 |
离子束流形状 | 平行,聚焦,散射 |
中和器 | LFN 2000 |
高度 | 25.1 cm |
直径 | 24.6 cm |
锁紧安装法兰 | 12”CF |
KRI 射频离子源 RFICP 140 应用领域:
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,
溅镀和蒸发镀膜 PC
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源已历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请登录我们网站或与市场部罗女士联系。
伯东版权所有, 翻拷必究!
相关产品
inTEST 热流仪 5G 通讯模块高低温冲击测试
聚丙烯 PP膜等离子表面亲水改性设备
气体和液体过滤介质用低压等离子表面处理设备
微控制器 MCU 芯片高低温测试机,美国 inTEST 热流仪
美国 inTEST 汽车芯片用高低温测试机,热流仪
功率器件高低温冲击测试机,美国 inTEST 热流仪
PMMA 亚克力板等离子表面活化机
IBF 离子束抛光工艺用考夫曼离子源
IBAD 辅助镀膜用考夫曼离子源
LED-DBR 辅助镀膜用离子源
上海伯东美国 KRi 大面积射频离子源 RFICP 380
上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 eH 3000
上海伯东美国 KRI 霍尔离子源 ,霍尔源eH 2000
上海伯东美国 KRI 霍尔离子源 eH 1000
KRI 霍尔离子源, 霍尔源,eH 400
关注
拨打电话
留言咨询