考夫曼上海伯东美国 KRI 霍尔离子源 eH 1000_价格-伯东公司德国普发真空pfeiffer

上海伯东美国 KRI 霍尔离子源 eH 1000

参考价：面议

型号：

eH 1000

产地：

美国

品牌：

考夫曼

评分：

产品详情

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因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准

KRI 霍尔离子源 eH 1000
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 1000, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

‍‍KRI 霍尔离子源 eH 1000 特性:
• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
• 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便; 无需水冷
• 等离子转换和稳定的功率控制

KRI 霍尔离子源 eH 1000 技术参数:

型号	eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO
供电	DC magnetic confinement
- 电压	40-300V VDC
- 离子源直径	~ 5 cm
- 阳极结构	模块化
电源控制	eHx-30010A
配置	-
- 阴极中和器	Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 离子束发散角度	> 45° (hwhm)
- 阳极	标准或 Grooved
- 水冷	前板水冷
- 底座	移动或快接法兰
- 高度	4.0'
- 直径	5.7'
- 加工材料	金属电介质半导体
- 工艺气体	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安装距离	10-36”
- 自动控制	控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

KRI 霍尔离子源 eH 1000 应用领域:
• 离子辅助镀膜 IAD
• 预清洗 Load lock preclean
• 预清洗 In-situ preclean
• Direct Deposition
• Surface Modification
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates
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