资料摘要
资料下载分子束外延(MBE)是一种晶体生长技术，将半导体衬底放置在超高真空腔体中，和将需要生长的单晶物质按元素的不同分别放在喷射炉中，由分别加热到相应温度的各元素喷射出的分子流能在衬底上生长出极薄的，可薄至单原子层水平，单晶体和几种物质交替的超晶格结构。 分子束外延主要研究的是不同结构或不同材料的晶体和超晶格的生长。该方法生长温度低，能严格控制外延层的层厚组分和掺杂浓度。 分子束外延系统对真空度要求及其高，对真空腔体的密封性、材料放气率、微量杂质气体和水蒸气比较敏感，本系统采用上海伯东德国 Pfeiffer 残气质谱仪 QMG 对超高真空腔体进行检漏，及材料放气组分及水汽进行分析，确保超高真空及真空的稳定性，对晶格的生长起到很好的作用。
文献贡献者
inTEST 热流仪 5G 通讯模块高低温冲击测试
聚丙烯 PP膜等离子表面亲水改性设备
气体和液体过滤介质用低压等离子表面处理设备
微控制器 MCU 芯片高低温测试机,美国 inTEST 热流仪
美国 inTEST 汽车芯片用高低温测试机,热流仪
功率器件高低温冲击测试机,美国 inTEST 热流仪
PMMA 亚克力板等离子表面活化机
IBF 离子束抛光工艺用考夫曼离子源
IBAD 辅助镀膜用考夫曼离子源
LED-DBR 辅助镀膜用离子源
上海伯东美国 KRi 大面积射频离子源 RFICP 380
上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 eH 3000
上海伯东美国 KRI 霍尔离子源 ,霍尔源eH 2000
上海伯东美国 KRI 霍尔离子源 eH 1000
KRI 霍尔离子源, 霍尔源,eH 400
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