立方氮化硼(cBN)由于具有高超的硬度/ 好的化学惰性/ 较好的热稳定性/ 高的热导率/ 在宽波长范围内(约从 200nm 开始) 有很好的透光性/ 可掺杂为 n 型和 p 型半导体等特点, 在切削工具/ 耐磨材料/ 光学元件表面涂层/ 高温/ 高频/ 大功率/ 抗辐射电子器件/ 电路热沉材料和绝缘涂覆层等方面具有很大的应用潜力.
在对立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金属研究所采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 辅助溅射沉积立方氮化硼 (cBN) 薄膜.
伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:
型号 | RFICP140 |
Discharge | RFICP 射频 |
离子束流 | >600 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 14 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 5-30 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 24.6 cm |
直径 | 24.6 cm |
中和器 | LFN 2000 |
该实验中, 采用的是射频溅射沉积的方法, 沉积基片为硅片, 热压的 hBN 作为靶材, 溅射气体为 Ar 和N2 的混合气体.
磁控溅射是物理气相沉积技术中一种手段比较丰富的方法, 可以通过控制调节镀膜参数, 得到更加致密, 均匀, 结合力出色的膜层, 而且磁控溅射属于干法镀膜, 不存在电镀化学镀中的镀液腐蚀基体和废液污染问题, 从环境保护的角度来看, 磁控溅射较电镀化学镀更加绿色环保.
实验结果:
采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 辅助溅射沉积立方氮化硼 (cBN) 薄膜时, 具有沉积的膜层颗粒尺寸小/ 薄膜中立方含量高/ 工艺可控性好等特点.
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