北京某研究院采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积制备碳薄膜, 同时在室温和无催化层衬底的条件下, 探究离子束能量和沉积时间对碳纳米薄膜成膜的影响.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:
离子源型号 | RFICP220 |
Discharge | RFICP 射频 |
离子束流 | >800 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 20 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 10-40 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 30 cm |
直径 | 41 cm |
中和器 | LFN 2000 |
* 可选: 灯丝中和器; 可变长度的增量
该溅射沉积是在气压为 1.33×10-4Pa 和衬底温度为室温条件下,利用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射石墨, 在无催化层的硅(Si)衬底上加工碳纳米薄膜.
通过拉曼光谱对碳纳米薄膜表面物质的组成进行了分析; 利用扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)来显示薄膜的表面结构; 实验结果显示, 辐照时间对 ID/IG 的比值以及碳晶粒的大小都有显著的影响, 并且高离子束能量能够促进碳晶粒的结晶. 同时, 在高能量的离子束下沉积碳纳米薄膜, 在 Si 表面发现了特殊图案的碳纳米结构: 雪花状, 方块状及四角星状.
KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
因此,该研究项目才采用 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 辅助溅射沉积工艺.
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