KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 成功用于复合磁控溅射沉积装置

伯东公司德国普发真空pfeiffer

2022/10/24 11:24
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某 OEM 系统集成商在搭建系统-复合磁控溅射沉积装置, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 作为溅射源.

 

KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:

射频离子源型号

RFICP380

Discharge 阳极

射频 RFICP

离子束流

>1500 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

30 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

15-50 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

39 cm

直径

59 cm

中和器

LFN 2000

 

 

该复合磁控溅射沉积装置主要包含：

1. 溅射源-KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380

2. 清洗源-KRI 霍尔离子源 eH3000

3. 高功率脉冲磁控溅射电源

4. 真空泵- Pfeiffer 分子泵 HiPace700

5. 基台

 

KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.

 

若您需要进一步的了解详细信息或讨论,  请参考以下联络方式:

上海伯东: 罗先生         


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