传统磁控溅射制备工艺存在一个突出的问题, 当离子能量较低时,在溅射沉积过程中会发生 “遮蔽效应”, 会使薄膜结构疏松, 产生孔隙等缺陷, 这直接影响着薄膜的性能.
为提高制备薄膜的致密度, 减少结构缺陷, 提高耐蚀性能, 国内某光学薄膜制造商采用伯东 KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 140 用于磁控溅射镀制 TiN 薄膜.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP 140 技术参数:
型号 | RFICP 140 |
Discharge | RFICP 射频 |
离子束流 | >600 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 14 cm Φ |
离子束 | 聚焦 |
流量 | 5-30 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 24.6 cm |
直径 | 24.6 cm |
中和器 | LFN 2000 |
客户采用离子源辅助磁控溅射镀膜技术在 304 不锈钢和 P 型(100)晶向硅片上制备TiN纳米薄膜.
推荐理由:
聚焦型射频离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染
运行结果:
1. 通过KRI 考夫曼聚焦型射频离子源 RFICP 140 溅射作用将优先形成的遮蔽效应, 制备的薄膜具有较高致密度.
2. 减少结构缺陷
3. 提高耐蚀性能
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