为了获取高性能紫外激光薄膜元件, 急需研制紫外高吸收薄膜, 某研究所采用伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射沉积技术镀制 Ta2O5 薄膜进行研究.
其系统工作示意图如下:
该研究所的离子束溅射镀膜组成系统主要由溅射室、双离子源、溅射靶、基片台等部分组成.
其中双离子源中的一个离子源适用于溅射靶材, 另个离子源是用于基材的预清洗.
射频离子源型号 | RFICP 380 |
Discharge 阳极 | 射频 RFICP |
离子束流 | >1500 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 30 cm Φ |
离子束 | 聚焦 |
流量 | 15-50 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 39 cm |
直径 | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 |
推荐理由:
聚焦型溅射离子源一方面可以增加束流密度, 提高溅射率; 另一方面减小离子束的散射面积, 减少散射的离子溅射在靶材以外的地方引起污染
KRI 霍尔离子源 Gridless eH 3000 技术参数:
离子源型号
| eH3000 |
Cathode/Neutralizer | HC |
电压 | 50-250V |
电流 | 20A |
散射角度 | >45 |
可充其他 | Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others |
气体流量 | 5-100sccm |
高度 | 6.0“ |
直径 | 9.7“ |
水冷 | 可选 |
其溅射室需要沉积前本底真空抽到 1×10-5Pa, 经推荐采用伯东分子泵组 Hicube 80 Pro, 其技术参数如下:
进气法兰 | 氮气抽速 | 极限真空 hpa | 前级泵 型号 | 前级泵抽速 | 前级真空 |
DN 40 ISO-KF | 35 | < 1X10-7 | Pascal 2021 | 18 | AVC 025 MA |
运行结果:
伯东 KRI 双离子源辅助离子束溅射技术可以制备不同吸收率的355nm高反射吸收 Ta2O5 薄膜.
伯东是德国 Pfeiffer 真空泵, 检漏仪, 质谱仪, 真空计, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国HVA 真空阀门, 美国 inTEST 高低温冲击测试机, 美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗先生
德国普发 Pfeiffer 售后维修保养
Pfeiffer 普发分子泵组 HiCube 80 Eco 现货促销
上海伯东代理 Pfeiffer 普发检漏仪维修保养服务
普发Pfeiffer分子泵维修 | 分子泵启动不了或刚一启动就报警,怎么解决
相关产品
inTEST 热流仪 5G 通讯模块高低温冲击测试
聚丙烯 PP膜等离子表面亲水改性设备
气体和液体过滤介质用低压等离子表面处理设备
微控制器 MCU 芯片高低温测试机,美国 inTEST 热流仪
美国 inTEST 汽车芯片用高低温测试机,热流仪
功率器件高低温冲击测试机,美国 inTEST 热流仪
PMMA 亚克力板等离子表面活化机
IBF 离子束抛光工艺用考夫曼离子源
IBAD 辅助镀膜用考夫曼离子源
LED-DBR 辅助镀膜用离子源
上海伯东美国 KRi 大面积射频离子源 RFICP 380
上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 eH 3000
上海伯东美国 KRI 霍尔离子源 ,霍尔源eH 2000
上海伯东美国 KRI 霍尔离子源 eH 1000
KRI 霍尔离子源, 霍尔源,eH 400
关注
拨打电话
留言咨询