在制备 TiN 薄膜过程中, 离子持续轰击对 TiN 薄膜的结构和性能影响很大, 在离子持续轰击作用下能够获得性能优异的TiN薄膜.
为了获取性能优异的 TiN 薄膜, 国内某制造商采用伯东 KRI 射频离子源 RFICP 380 对 TiN 薄膜进行持续轰击. 工作系统简单示意如下图:
射频离子源型号 | RFICP 380 |
Discharge 阳极 | 射频 RFICP |
离子束流 | >1500 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 30 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 15-50 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 39 cm |
直径 | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 |
1. 大面积射频离子源
2. 提供高密度离子束, 满足高工艺需求
3. 采用射频技术产生离子, 无需电离灯丝, 工艺时间更长, 更适合时间长的工艺要求
4. 离子束流: >1500 mA
5. 离子动能: 100-1200 V
6. 中和器: LFN 2000
7. 采用自动控制器, 一键自动匹配
8. RF Generator 可根据工艺自行选择离子浓度, EX: 1kW or 2kW
9. 离子源采用模块化设计, 方便清洁/ 保养/ 维修/ 安装
10. 栅极材质钼和石墨, 坚固耐用
11. 通入气体可选 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others
其使用前(左)和使用后(右)对比图如下:
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