光学镀膜是光学工业中最为重要的工艺之一, 其中离子源辅助镀膜技术是一种目前技术先进的光学镀膜技术. 离子源辅助镀膜IAD的作用有:
1. 填充密度提高:折射率提高
2. 波长漂移减少
3. 红外波段的水气吸收减少
4. 增强了膜层的结合力、耐摩擦能力, 机械强度, 提高表面光洁度
5. 控制膜层的应力
6. 减少膜层的吸收和散射
7. 提高生产效率
在真空环境下, 利用发射的电子在电场合磁场的相互作用下, 使充入真空室的气体产生离化, 在电场合磁场的作用下发射离子.
上海伯东代理美国考夫曼公司霍尔离子源、考夫曼离子源和射频离子源, 选择哪类型离子源, 用于辅助镀膜 IAD呢?今天就跟大家简单介绍这三种离子源.
霍尔离子源属于高浓度低动能型, 其主要构成结构有:
1. 灯丝
2. 阳极模組
3. 主要模組
4. 底座(可调整角度, 高度)
实图如下:
KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列在售型号及技术参数:
离子源型号 | eH200(停产) | eH400 | eH1000 | eH2000 | eH3000 | |
Cathode/Neutralizer | F or HC | F or HC | F or HC | F or HC | F or HC | HC |
电压 | 30-300V | 50-300V | 50-300V | 100-300V | 50-300V | 50-250V |
电流 | 2A | 5A | 10A | 10A | 10A | 20A |
散射角度 | >45 | >45 | >45 | >45 | >45 | >45 |
可充其他 | Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others | |||||
气体流量 | 1-15sccm | 2-25sccm | 2-50sccm | 2-50sccm | 2-75sccm | 5-100sccm |
高度 | 2.0“ | 3.0“ | 4.0“ | 4.0“ | 4.0“ | 6.0“ |
直径 | 2.5“ | 3.7“ | 5.7“ | 5.7“ | 5.7“ | 9.7“ |
水冷 | 无 | 可选 | 可选 | 可选 | 是 | 可选 |
考夫曼离子源 KDC属于高浓度低动能型, 其主要构成结构有:
1. Grid (栅极) 模組
2. Out shell (外壳) 模組
3. CathodeCathode moudlemoudle (阴极模组)
4. Anode with Magnet assembly (阳极与磁力模组)
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 技术参数:
离子源型号 | |||||
Discharge | DC 热离子 | DC 热离子 | DC 热离子 | DC 热离子 | DC 热离子 |
离子束流 | >10 mA | >100 mA | >250 mA | >400 mA | >650 mA |
离子动能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
栅极直径 | 1 cm Φ | 4 cm Φ | 7.5 cm Φ | 12 cm Φ | 16 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 1-5 sccm | 2-10 sccm | 2-15 sccm | 2-20 sccm | 2-30 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型压力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
长度 | 11.5 cm | 17.1 cm | 20.1 cm | 23.5 cm | 25.2 cm |
直径 | 4 cm | 9 cm | 14 cm | 19.4 cm | 23.2 cm |
中和器 | 灯丝 |
射频离子源RFICP属于高浓度低动能型, 其主要构成结构有:
1. 底座风冷风扇
2. Grid (栅极) 模組
3. RF Coil (射频铜管)
4. 石英杯
5. LFN 2000 (灯丝) 中和器
射频离子源 RFICP 系列技术参数:
型号 | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 | RFICP 380 |
Discharge | RFICP 射频 | RFICP 射频 | RFICP 射频 | RFICP 射频 | RFICP 射频 |
离子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
离子动能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
栅极直径 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 20 cm Φ | 30 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型压力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
长度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直径 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 |
以上是 KRI 霍尔离子源 / 考夫曼离子源 / 射频离子源简单介绍.
KRI 离子源辅助镀膜 IAD 时, 霍尔离子源和考夫曼离子源, 哪个好? 其实从上面的介绍可以看出, 霍尔离子源和考夫曼离子源, 并没有好与不好之分, 主要是看工艺的需求, 适合的才是最合适的.
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