美国考夫曼公司Gridded Ion Sources (栅极离子源) 系列 RFCIP离子源 (射频电源式考夫曼离子源), KDC 离子源 (直流电源式考夫曼离子源) 已广泛被应用于离子溅射镀膜 (IBSD) 工艺.
离子溅射镀膜是在部分真空的溅射室中辉光放电, 产生正的气体离子;在阴极(靶)和阳极(试样)间电压的加速作用下, 荷正电的离子轰击阴极表面, 使阴极表面材料原子化;形成的中性原子, 从各个方向溅出, 射落到试样的表面, 于是在试样表面上形成一层均匀的薄膜.
伯东 KRI考夫曼离子源可控制离子的强度及浓度, 使溅射 (Sputtering) 时靶材 (Target) 被轰击出具有中和性材料分子而获得高致密, 高质量之薄膜. 考夫曼离子源可依客户溅射 (Sputtering) 工艺条件选择 RFICP 离子源 (射频电源式考夫曼离子源) 或是 KDC 离子源 (直流电原式考夫曼离子源).
规格如下:
RFCIP 离子源 (射频式考夫曼离子源) : RFICP 40, RFICP 100, RFICP 140, RFICP 220, RFICP 380
KDC 离子源 (直流式考夫曼离子源): KDC10, KDC40, KDC75, KDC100, KDC160.
伯东公司为 Kaufman & Robinson, Inc (美国考夫曼公司) KRI 离子源大中国区总代理.
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