伯东 KRI霍尔离子源在样品清洗前处理中的应用

在进行镀膜等工艺之前对原样品的表面平整度/洁净程度等参数会有不同的要求对于不达标的样品需要进行前处理, KRI霍尔离子源可以很好的解决这类的问题.

 

KRI霍尔离子源可以在低功耗的情况下进行大电流的工作很好的处理样品的清洁度/和平整度可以根据不同的工艺要求来控制样品表面的光滑/粗糙程度一致且可靠地去除表面污染物以暴露原始基材达到清洗前处理的作用.

 

稳定工艺并提高产品产量. KRI离子源清洗在在真空室中进行基板表面清洁后可以立即沉积短停留时间暴露于真空背景清洁并活化基材表面比辉光放电更清洁生产率更高无需基板偏置/无需高压消除了大多数腔室壁的溅射没有额外的抽空很好地提高了整体工艺的效率与质量.

 

中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司客户选用KRI EH1000型霍尔离子源组装磁控溅射设备对聚氨酯类的材料进行清洗前处理.

离子源清洗样品的示意图:

KRI 霍尔离子源 eH 1000 特性:

 可拆卸阳极组件 - 易于维护维护时最大限度地减少停机时间即插即用备用阳极

 宽波束高放电电流 - 高电流密度均匀的蚀刻率刻蚀效率高高离子辅助镀膜 IAD 效率

 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统安装方便无需水冷

 高效的等离子转换和稳定的功率控制

 

KRI 霍尔离子源 eH 1000 技术参数:

型号

eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO

供电

DC magnetic confinement

  - 电压

40-300V VDC

  - 离子源直径

~ 5 cm

  - 阳极结构

模块化

电源控制

eHx-30010A

配置

-

  - 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

  - 离子束发散角度

> 45° (hwhm)

  - 阳极

标准或 Grooved

  - 水冷

前板水冷

  - 底座

移动或快接法兰

  - 高度

4.0'

  - 直径

5.7'

  - 加工材料

金属
电介质
半导体

  - 工艺气体

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

  - 安装距离

10-36”

  - 自动控制

控制4种气体

可选可调角度的支架; Sidewinder

 

上海伯东是美国 考夫曼离子源在中国的总代理商.
上海伯东是德国 Pfeiffer 真空检漏仪质谱仪真空计美国 KRI 考夫曼离子源美国 inTEST 高低温冲击测试机美国 Ambrell 感应加热设备和日本 NS 离子蚀刻机等进口知名品牌的指定代理商.

我们真诚期待与您的合作!

若您需要进一步的了解详细信息或讨论请参考以下联络方式:

上海伯东罗先生  


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