某厂商研发部门采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 用于蚀刻 KDP 晶体进行抛光加工, 用以消除单点金刚石车削(SPDT)后 KDP 晶体表面留下的周期性小尺度波纹.
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:
Ф4 inch X 6片 | 基板尺寸 | < Ф3 inch X 8片 |
样品台 | 样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转 | |
离子源 | 20cm 考夫曼离子源 | |
均匀性 | ±5% for 8”Ф | |
硅片蚀刻率 | 20 nm/min | |
温度 | <100 |
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台. 如下图:
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220.
伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:
离子源型号 | RFICP 220 |
Discharge | RFICP 射频 |
离子束流 | >800 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 20 cm Φ |
离子束 | 聚焦 |
流量 | 10-40 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 30 cm |
直径 | 41 cm |
中和器 | LFN 2000 |
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现样品均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高样品的加工质量.
Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 配套的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700.
通过采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 刻蚀后, 单点金刚石车削后的表面由初始的6.54nm RMS, 经过 1.76nm RMS 的平坦化层, 最终刻蚀转移到 KDP 晶体表面得到 1.84nm RMS 的光滑表面.
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :
上海伯东 : 罗先生
德国普发 Pfeiffer 售后维修保养
Pfeiffer 普发分子泵组 HiCube 80 Eco 现货促销
上海伯东代理 Pfeiffer 普发检漏仪维修保养服务
普发Pfeiffer分子泵维修 | 分子泵启动不了或刚一启动就报警,怎么解决
相关产品
inTEST 热流仪 5G 通讯模块高低温冲击测试
聚丙烯 PP膜等离子表面亲水改性设备
气体和液体过滤介质用低压等离子表面处理设备
微控制器 MCU 芯片高低温测试机,美国 inTEST 热流仪
美国 inTEST 汽车芯片用高低温测试机,热流仪
功率器件高低温冲击测试机,美国 inTEST 热流仪
PMMA 亚克力板等离子表面活化机
IBF 离子束抛光工艺用考夫曼离子源
IBAD 辅助镀膜用考夫曼离子源
LED-DBR 辅助镀膜用离子源
上海伯东美国 KRi 大面积射频离子源 RFICP 380
上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 eH 3000
上海伯东美国 KRI 霍尔离子源 ,霍尔源eH 2000
上海伯东美国 KRI 霍尔离子源 eH 1000
KRI 霍尔离子源, 霍尔源,eH 400
关注
拨打电话
留言咨询