上海伯东 IBE离子束刻蚀(离子铣)基本原理与应用介绍

2024/08/16   下载量: 0

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在半导体制程工艺中,刻蚀(Etch)是指将晶圆上没有被光刻胶覆盖或保护的部分,以化学反应或物理作用的形式加以去除,完成将图形转移到晶圆片表面上的工艺过程。刻蚀分为湿刻蚀(Wet Etching)和干刻蚀(Dry Etching)。干刻蚀则泛指采用气体进行刻蚀的所有工艺,即在晶圆上叠加光刻胶或金属掩模后,将其裸露于刻蚀气体中的工艺。干法刻蚀分为三种:PE等离子体刻蚀、IBE离子束刻蚀和RIE反应离子体刻蚀。

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      在半导体制程工艺中,刻蚀(Etch)是指将晶圆上没有被光刻胶覆盖或保护的部分,以化学反应或物理作用的形式加以去除,完成将图形转移到晶圆片表面上的工艺过程。刻蚀分为湿刻蚀(Wet Etching)和干刻蚀(Dry Etching)。干刻蚀则泛指采用气体进行刻蚀的所有工艺,即在晶圆上叠加光刻胶或金属掩模后,将其裸露于刻蚀气体中的工艺。干法刻蚀分为三种:PE等离子体刻蚀、IBE离子束刻蚀和RIE反应离子体刻蚀。


应用

器件

刻蚀材料

磁性器件

磁头,磁流变传感器,其他硬碟磁头,磁流变/磁流变传感器,自旋电子器件

Ni-Fe, Ni-Co, Co-Fe

电极层(Ti/Pt/Au)

传感器

Pt薄膜热传感器,红外传感器,燃油质量传感器,空气流量传感器,应变传感器

NiCr, PZT, W, Ta

电极层(Ti/Pt/Au)

射频器件

射频滤波器,GaAs/GaN HEMT,薄膜金属化衬底

Ru, Cr, LiTaO3

电极层(Ti/Pt/Au)

光学器件

激光二极管,光电二极管,薄膜组件,LN调制器

GaN, LiNbO3

电极层(Ti/Pt/Au)

其他应用

探针,氧化物半导体,超导体

NiCr, Cr, Cu, Pd

LuFe2O4, SrTiO4

       IBE离子束刻蚀是利用低能量平行Ar+离子束对基片表面进行轰击,将基片表面未覆盖掩膜的部分溅射出,从而达到选择刻蚀的目的主要用来金属、合金、氧化物、化合物、混合材料、半导体、绝缘体、超导体等材料的刻蚀。


与PE等离子体刻蚀和RIE反应离子体刻蚀工艺相比,IBE刻蚀具有刻蚀惰性金属和氧化的独特优势,适合以下应用:



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