方案摘要
方案下载| 应用领域 | 半导体 |
| 检测样本 | 其他 |
| 检测项目 | |
| 参考标准 | / |
本报告详细介绍了 Hakuto 10IBE 离子刻蚀机在制作面阵石英 DNA 芯片模板中的应用。该设备配备 KRI 考夫曼公司的 KDC 160 离子源和 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700，确保了高真空度和刻蚀过程的高均匀性。Hakuto 10IBE 离子刻蚀机制作的芯片模板表面微结构形貌有利于 DNA 序列样本与芯片模板的吸附耦合，提高了实验效率和准确性。
本报告详细介绍了 Hakuto 10IBE 离子刻蚀机在制作面阵石英 DNA 芯片模板中的应用。该设备配备 KRI 考夫曼公司的 KDC 160 离子源和 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700，确保了高真空度和刻蚀过程的高均匀性。Hakuto 10IBE 离子刻蚀机制作的芯片模板表面微结构形貌有利于 DNA 序列样本与芯片模板的吸附耦合，提高了实验效率和准确性。
关键词： Hakuto 10IBE 离子刻蚀机，KDC 160 离子源，Hipace 700 涡轮分子泵，DNA 芯片模板，表面微结构形貌
1. 引言 DNA 芯片技术作为一种高通量、高灵敏度的生物检测手段，在基因表达分析、疾病诊断、药物筛选等领域具有重要应用。Hakuto 10IBE 离子刻蚀机的引入，为 DNA 芯片模板的精确制作提供了有力工具。
2. Hakuto 10IBE 离子刻蚀机概述 Hakuto 10IBE 离子刻蚀机是一款高性能的刻蚀设备，由上海伯东代理，配备了美国 KRI 考夫曼公司生产的 KDC 160 离子源，以及 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700，确保了设备在高真空条件下的高效运行。
3. 技术优势与应用背景 Hakuto 10IBE 离子刻蚀机具备干式制程的微细加工能力，适用于多种材料的加工。其物理蚀刻特性使其在不同领域具有广泛的应用潜力。设备的射频角度可任意调整，能够根据需要实现垂直、斜面等多种加工形状。
4. 操作流程与工艺参数 Hakuto 10IBE 离子刻蚀机的操作流程包括样品装载、真空系统激活、离子源激活、刻蚀参数设置和刻蚀过程监控等步骤。工艺参数如离子能量、刻蚀时间、气体流量等对最终的刻蚀效果有直接影响。
5. 应用案例分析 华中某实验室采用 Hakuto 10IBE 离子刻蚀机制作面阵石英 DNA 芯片模板，通过优化工艺参数，实现了芯片模板表面微结构的精确控制，从而提高了 DNA 序列样本的吸附耦合效率。
6. 结果与讨论 与传统的光刻及离子束蚀刻技术相比，Hakuto 10IBE 离子刻蚀机制作的 DNA 芯片模板在表面微结构形貌上具有明显优势，更有利于 DNA 样本的吸附和耦合，为后续的分子生物学研究提供了有力支持。
7. 结论 Hakuto 10IBE 离子刻蚀机在 DNA 芯片模板制作中展现出了卓越的性能，其高真空度、高刻蚀均匀性以及对表面微结构的精确控制，为生物芯片技术的发展提供了新的技术路径。
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:
基板尺寸 | < Ф8 X 1wfr |
样品台 | 直接冷却（水冷）0-90 度旋转 |
离子源 | 16cm 考夫曼离子源 |
均匀性 | ±5% for 4”Ф |
硅片刻蚀率 | 20 nm/min |
温度 | <100 |
该 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75
伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC160 技术参数：
离子源型号 | 离子源 KDC 160 |
Discharge | DC 热离子 |
离子束流 | >650 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 16 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 2-30 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
中和器 | 灯丝 |
伯东离子蚀刻机应用领域
上海伯东是德国 Pfeiffer 真空设备, 美国 KRI 考夫曼离子源, 美国Gel-pak 芯片包装盒, 美国 inTEST 高低温冲击测试机， 日本 NS 离子蚀刻机, 比利时 Stratasys 3D 打印机, 比利时原装进口 Europlasma 等离子表面处理机 和美国 Ambrell 感应加热设备 等进口知名品牌的指定代理商 .我们真诚期待与您的合作!
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上海伯东: 罗女士
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文献贡献者
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