斯别科特罗斯卡讷FSM1201S半导体晶圆傅立叶红外分析仪_价格-俄罗斯对外电子公司北京代表处

FSM1201S半导体晶圆傅立叶红外分析仪

参考价：¥36万

型号：

FSM1201S

产地：

俄罗斯

品牌：

斯别科特罗斯卡讷

评分：

产品详情

半导体晶圆片的无损检测国际SEMI标准采纳了傅里叶红外光谱法。FSM1201S半导体晶圆分析仪可以根据预设的程序（可以通过软件窗口图文预设1-9个测定点）对76、100、 125、150 以及200mm直径晶圆进行自动分析。单点分析时间不超过20秒。

主要技术指标：

光谱范围,cm^-1	400–7800
光谱分辨率, cm^-1	1
样品中光斑直径, mm	6
最大的晶圆直径, mm	200 (300需预定)
分析台定位精度, mm	0.5
单点标准分析时间, sec	20
仪器尺寸, mm	670x650x250
仪器重量, kg	37

适用以下标准方法：

1）硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法（晶圆厚度0.4～2mm）,浓度范围：(5x10¹⁵–2x10¹⁸)±5x10¹⁵ см^-3国际标准: SEMI MF1188, Test Method for Interstitial Oxygen Content of Silicon by Infrared Absorption With Short Baseline);

2）硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法（晶圆厚度0.4～2mm）,检测范围：(10¹⁶–5x10¹⁷)±10¹⁶ см^-3国际标准: SEMI MF1391 TEST METHOD FOR SUBSTITUTIONAL ATOMIC CARBON CONTENT OF SILICON BY INFRARED ABSORPTION

3）硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法国际标准:SEMI MF951　 Test Method for Determination if Radial Interstitial Oxygen Variation in Silicon Wafers);

4）硅外延层厚度的分析 (国际标准:SEMI MF95　 Thickness of epitaxial layers for silicon n-n+ and p-p+ structures: (0.5–10)±0.1 µm, (10–200)±1% µm);

5）SOS体系硅外延层厚度的分析Thickness of silicon epitaxial layers in SOS structures:(0.1–10) ±0.01 μm

6）BPSG中硼和磷浓度，PSG中磷浓度的分析Boron and/or phosphorus concentration in BPSG/PSG on silicon: (1–10) ±0.2 Wt%。

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