用和频光谱（SFG）方法测量有机场效应晶体管半导体/绝缘体界面累积电荷分布

2019/03/07   下载量： 4 次

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应用领域 半导体
检测样本 其他
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参考标准 暂无

采用立陶宛Ekspla公司的由PL2231-50型脉冲皮秒激光器，PG501-DFG1P高能光学参量发生器构成的和频光谱测量系统，对有机场效应晶体管半导体/绝缘体界面处累积电荷分布进行了实验测量研究。

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      Charges accumulated at the semiconductor/insulator interface of a top-contact bottom-gate organic eld-effect transistors (OFET) with a channel length/width of 1000 um/1000 um while applying a negative gate voltage are visualized in a probe region of 4 mm  4 mm by electric- eld induced sum-frequency generation spectroscopy. It is found the charges are accumulated not only inside but also outside the channel of the OFET. The accumulated charges are also found to be uniformly distributed on the semiconductor/insulator interface. The resolution of
this mapping technique is explored to be 0.34 mm in the horizontal direction and 0.32 mm in the vertical.

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