用和频光谱（SFG）可视化观测运行中的OFET器件半导体/绝缘体界面处电荷活动状态

2019/03/07   下载量： 3 次

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应用领域 半导体
检测样本 其他
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参考标准 暂无

采用立陶宛Ekspla公司PL2230型脉冲皮秒激光器和PG501-DFG1P型皮秒光学参量发生器构成的和频光谱测量系统（SFG）对运行中的OFET器件半导体/绝缘体界面处电荷活动状态进行了可视化测量。

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In our work, being aimed at clarifying the mechanism of charge transport in organic field-effect transistors (OFET) during operation and furthermore designing new OFET with higher performances, interfaces of OFET are studied by sum-frequency generation (SFG) spectroscopy. The effect of drain voltage on SFG spectra of OFET is obtained. A bias distribution of SFG intensities at 3000 cm-1 between source and drain electrodes caused by charge transport is obtained. Charge activities at the semiconductor/insulator interface of OFET during operation are preliminary mapped by SFG spectroscopy.

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北京欧兰科技发展有限公司
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