其他null检测 | Rapid Lead (Pb) Analysis of Thin Solder Plating on Semiconductor Leadframes Using LIBS-北京富尔邦科技发展有限责任公司

方案摘要

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应用领域	半导体
检测样本	其他
检测项目
参考标准	无

人体血液中的铅( Pb )与严重的神经、行为和发育问题有关，在幼儿身上尤其如此。因此，欧盟通过了《限制有害物质指令》，禁止在电子产品中使用超过规定浓度的铅、镉、汞、铬( VI )、多溴联苯( PBB )和多溴联苯醚( PBDEs )。RoHS指令为电子设备和设备建立了1000ppm的Pb的最大允许浓度限值。由于全球各地的制造商必须遵守其电子产品的有害物质限制规定，因此产品制造商及其供应链必须确定合适的分析仪器，以便对诸如铅等有害元素进行检测，因而灵敏度和准确度都很高。目前，电感耦合等离子体光学和原子发射光谱（ICP-OES和ICP-AES）在业界被用作RoHS一致性验证的分析方法。然而，ICP-OES需要在分析之前进行固体样品的复杂和耗时的酸溶解，以及重要的科学专业知识来执行分析。这使得ICP-OES不能作为一种快速的Pb监测技术，用于大量样品的质量控制。XRF近年来也用于监测成品中的铅。这种方法虽然方便，但其在为薄而小样品提供精确和精确的浓度测定方面面临着挑战。因此，XRF仅用于筛选RoHS元素，而不是用于最终确定元素含量。LIBS，LA-IC-PMS和ICP-OES在大多数样品上显示非常相似的结果

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配置单

美国ASI 激光诱导击穿光谱仪（LIBS）
型号：J200

¥120万 - 150万
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方案详情

LIBS，LA-IC-PMS和ICP-OES在大多数样品上显示非常相似的结果，除了ICP-OES无法检测所用最低电镀电流（50ASF）下的铅（ND =未检测到）含量。表2还显示，在中等和高电流密度下生产的锡镀层的铅含量相似，而在最低电流设置下生产的镀锡较低。AAS显示在所有电镀电流下铅浓度始终较低。然而，原子吸收光谱法在裸露的铜基底上检测到约12ppm的铅，而其他技术未检测到铅的存在。这种差异可能是由于样品或制备溶液潜在污染导致的。对细小样品的高检测灵敏度和消除有毒化学废物的直接固体分析能力，使J200 LIBS仪器成为电子工业中强有力的微分析分析工具。

在三种不同电流设置下沉积的、TSOP5656引线框封装的锡镀层的不同分析技术测定的铅浓度（以ppm为单位）比较

AAS，ICP-OES，LA-ICP-MS和LIBS之间的Pb浓度比较

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文献贡献者

北京富尔邦科技发展有限责任公司

白金会员丨第15年

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