鑫图FL 9BW | 长曝光制冷CMOS相机，“冷CCD”破局者驾到！

福州鑫图光电有限公司

2023/06/02 19:26

现代CMOS技术发展迅速，在几乎所有成像性能上都已超越CCD。然而，对于长曝光成像应用，在像素融合、暗电流、长曝光边角辉光抑制等关键性能指标上，市场仍在期待一台理想的、能完全替代CCD的CMOS产品。同时，作为长曝光核心性能保障的相机制冷腔密封技术，现阶段仅有少数厂家能完全掌握，这也是深度制冷相机技术替代的关键之争。

鑫图长曝光制冷CMOS相机性能优势及应用.png

FL 9BW是鑫图针对长曝光应用开发的一款深度制冷CMOS相机。它采用索尼新一代背照式CMOS技术和鑫图先进制冷、图像降噪技术联合打造。实测表明，与市场上现有的CMOS产品相比，FL 9BW长曝光成像能力有突破性提升，在如化学发光成像等长曝光应用中，可以替代深度制冷CCD。

< 0.0005 e-/p/s 暗电流

可替代冷CCD长曝光应用

FL 9BW暗电流达到了0.0005 e-/p/s甚至更低的水平。鑫图工程师针对不同成像条件，对FL 9BW 和制冷CCD(695)相机做了大量的对比测试，结果显示：FL 9BW在长达30钟的长曝光实验中，仍能获取背景干净，高信噪比(SNR)的图像。综合成像性能全面赶超695 CCD。

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1. 中等强度信号‍‍‍‍‍

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‍‍ 中等强度.png

2.极弱信号

-25℃深度制冷

制冷腔可靠性高

制冷腔密封技术是长曝光成像性能的核心保障。FL 9BW在室温环境(22℃)下，仅用风冷就实现了以往水冷技术才能达到的-25℃深度制冷水平，且用户可以自行设置制冷温度等级。

FL-9BW-制冷腔示意图.png

鑫图为FL 9BW制冷腔提供3年质保。作为国内制冷相机技术先驱，鑫图不仅在制冷腔密封结构方面取得了一系列防水、防尘、防凝露等发明专利成果，还建立了一整套产业化质量工艺标准，可确保批量品质的一致性。鑫图近5年的数据显示：我们的制冷腔几乎没有水汽凝结等问题，可靠性有保障。

背景均一

定量分析更精准

FL 9BW同时集成了索尼芯片优异的辉光抑制能力和鑫图先进图像降噪技术，基本杜绝了边角亮光、坏点像素等不良制程因素对正常信号的干扰，成像背景均一，更适合定量分析应用。

SONY 背照式科学级芯片

综合成像性能优越

FL 9BW采用索尼新一代背照式科学级CMOS芯片，不仅暗电流达到了深度制冷CCD相当的水平，而且还具有现代CMOS技术的典型特征：峰值量子效率高达92%，读出噪声仅0.9 e-，弱光成像能力碾压CCD，动态范围更是传统CCD的4倍以上，成像速度更快，综合成像性能十分优越。

鑫图长曝光制冷CMOS相机性能优势-.png

鑫图FL 9BW不仅能完全替代CCD在化学发光、天文成像等领域的长曝光应用，还可用于对速度，成像视野有高要求的荧光成像，欢迎联系我们（www.tucsen.net）了解更多功能介绍或申请样机免费测试。

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