全自动原子层沉积系统（ALD）

参考价：¥50万 - 100万

型号：	Phoenix G2 ALD System
产地：	美国
品牌：	维易科
评分：

核心参数

产地类别：进口
衬底尺寸：高达370 mm x 470 mm (Gen 2.5 Panels) / 100mm 晶片 - 240 to 360 / 150mm 晶片 - 80 to 160 / 200mm 晶片 - 80 to 100 / 300 mm 晶片 - up to 40 / 其它3D 对象自定义支架
工艺温度：可达285°C
前驱体数：标准4路
重量： 0
尺寸(W x H x D)： 900 mm x 1370 mm x 1700 mm
均匀性： Al2O3 晶片<1.5% /，批量<1%

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全自动原子层沉积系统（ALD）

全自动原子层沉积系统(ALD)

产品详情

Veeco(之前称之为Cambridge Nanotech)已经有15年以上的ALD研发生产经验。2003年Cambridge Nanotech成立于哈佛大学，05年搬到Boston并生产出Thermal ALD - Savannah, 之后生产出Plasam ALD - Fuji、批量生产ALD-Phoenix。2017年被Veeco收购，并更新了Batch HVM ALD - Firebird。至今为止，Veeco在ALD设备已有15年多的经验，全球已安装五百多台ALD设备。

方式: Thermal batch ALD

优势: 大批量热ALD镀膜，可靠成熟，设计灵活，易于使用，并具有许多操作界面，许多内置安全功能

薄膜: 高达370 mm x 470 mm (Gen 2.5 Panels) / 100mm 晶片 - 240 to 360 / 150mm 晶片 - 80 to 160 / 200mm 晶片 - 80 to 100 / 300 mm 晶片 - up to 40 / 其它3D 对象自定义支架

设备尺寸: 900 mm x 1370 mm x 1700 mm

功率: 208 VAC 3 Phase, 8500 W (包含泵)

最强温度: 可达285°C

沉积均一性: Al2O3 晶片<1.5% / Al2O3批量<1%

前驱体源瓶: 3.1 l 源瓶或 600 ml

载气/排气: N2 or Ar MFC flow control

原位分析选项: 臭氧发生器, LVPD,集成手套箱, 半自动负载

自动负载, SECS/GEM 界面

香港电子器材有限公司为您提供维易科全自动原子层沉积系统（ALD）Phoenix G2 ALD System ，维易科Phoenix G2 ALD System 产地为美国，属于进口原子层沉积设备，除了全自动原子层沉积系统（ALD）的参数、价格、型号、原理等信息外，还可为您提供更多原子层沉积设备,香港电子客服电话400-860-5168转2459，售前、售后均可联系。

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