裕隆时代ArFab氩离子抛光仪
优选

裕隆时代ArFab氩离子抛光仪

报价：面议
型号： ArFab
产地： 北京
品牌： 裕隆时代
评分：
沃根瑞特科技（北京）有限公司
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核心参数
产品详情

裕隆时代向用户提供性能优越的ArFab100氩离子抛光仪，为电镜、电子探针、原子力显微镜样品进行无损截面制备。

适用范围：新能源材料、非常规能源、半导体、芯片、制药等行业。
 

 

大尺寸切抛合一的纳米加工系统                             

 

性能优势

 

  • 一套系统兼具离子平面抛光和离子切割功能，操作简捷

  •  动态离子切割技术，实现样品的往复平移和旋转，最大切割长度达10mm，有效减少投影/遮挡效应

  • 超大平面抛光装载尺寸25x25mm（直径X高度），为原位试验等大尺寸样品试验提供可能

  • 能量0.5-10KV连续可调，既可满足低能区减少非晶层，又可兼顾高能区，大幅提高制样效率

  • 10英寸彩色触屏，全中文图像用户界面，方便快捷的参数设置，可远程控制

 

 

 

样品适用性

 

  • 无论软硬，多孔或致密，脆性或韧性，热敏感，或非均质多相复合型材料，都可获得高质量无损切割界面

 

 

  • 切割模式采用独创的微型多轴动态离子切割台，样品切割长度可达10mm

 

应用案例

 

  • 离子平面抛光后的页岩截面，揭示样品表面纳米级孔隙，左图为无机孔，右图为有机孔。SEM图像，石油地质。

 

 

  • 离子切割后的手机柔性屏幕内部结构和材料特征。半导体领域

 

 

  • 离子切割后的电池材料截面，揭示其内部结构。左图为电池阳极几篇，右图为电池隔膜。SEM图像，能源材料领域

 

 

  • 左图：离子切割后芯片内部结构，右图：离子平面抛光后芯片内部结构。SEM图像，半导体芯片领域。

 

 

  • 平面抛光后LED焊盘结构。SEM图像，半导体光电领域

 

 

  • 低电压平面抛光后的合成材料EBSD结构。EBSD图像，新材料领域。

 

 

 

技术参数

离子枪

离子枪

配备两支独立离子枪，可选单枪或双枪模式

加速电压

0.5-10KV连续可调

工作束流

0.5-7mA连续可调

抛光速率

200um/h（10KV，硅样品）

样品台


抛光样品尺寸

25X25mm（直径x高）样品台

切割样品尺寸

50x10x35mm（长x宽x高）

旋转速度

10-3600/S

抛光角度

0-200连续可调

真空系统

真空系统

两级真空，无油涡旋干泵，支持80L/S涡轮分子泵

工作真空

9X10-5 mbar

极限真空

5X10-7 mbar

真空规

全量程（常压到高真空）冷阴极真空规

用户界面

10英寸触屏，中文操作界面，简洁方便，可远程控制

电源要求

90-264VAC，600W

 


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