SiC外延片测试方案

2023/03/15   下载量： 0 次

方案摘要

方案下载
应用领域 半导体
检测样本 光电器件
检测项目
参考标准 /

外延材料是实现器件制造的关键，主要技术指标有外延层厚度、晶格布局，材料结构，形貌以及物理性质，表面粗糙度和掺杂浓度等。本文介绍了关于以上指标的测试解决方案。

方案下载
配置单
方案详情

SiC由于其禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电压高和介电常数低等特点，在高频、高功率、耐高温的半导体功率器件和紫外探测器等领域有着广泛的应用前景，特别是在电动汽车、电源、军工、航天等领域备受欢迎。

       外延材料是实现器件制造的关键，主要技术指标有外延层厚度、晶格布局，材料结构，形貌以及物理性质，表面粗糙度和掺杂浓度等。本文阐述了SiC外延表面常见的测试手段。


文献贡献者

冠乾科技（上海）有限公司
铜牌会员 丨 第7年
查看全部资料
相关仪器 更多
相关方案
更多

相关产品

当前位置： Grant Tech 方案 SiC外延片测试方案

关注

拨打电话

留言咨询