方案摘要
方案下载应用领域 | 半导体 |
检测样本 | 光电器件 |
检测项目 | |
参考标准 | / |
外延材料是实现器件制造的关键,主要技术指标有外延层厚度、晶格布局,材料结构,形貌以及物理性质,表面粗糙度和掺杂浓度等。本文介绍了关于以上指标的测试解决方案。
SiC由于其禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电压高和介电常数低等特点,在高频、高功率、耐高温的半导体功率器件和紫外探测器等领域有着广泛的应用前景,特别是在电动汽车、电源、军工、航天等领域备受欢迎。
外延材料是实现器件制造的关键,主要技术指标有外延层厚度、晶格布局,材料结构,形貌以及物理性质,表面粗糙度和掺杂浓度等。本文阐述了SiC外延表面常见的测试手段。
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