牛津仪器Oxford RIE反应离子刻蚀机PlasmaPro 80PlasmaPro 80 RIE_价格-似空科学仪器（上海）有限公司

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Oxford RIE反应离子刻蚀机PlasmaPro 80

PlasmaPro 80是一种结构紧凑、小尺寸且使用方便的直开式系统，可以提供多种刻蚀和沉积的解决方案。它易于放置，便于使用，且能确保工艺性能。直开式设计可实现快速晶圆装卸，是研究和小批量生产的理想选择。它通过优化的电极冷却和出色的衬底温度控制来实现高质量的工艺。

● 直开式设计允许快速装卸晶圆

● 出色的刻蚀控制和速率测定

● 出色的晶圆温度均匀性

● 晶圆最大可达200mm

● 购置成本低

● 符合半导体行业 S2 / S8标准

应用

● III-V族材料刻蚀工艺

● 硅 Bosch和超低温刻蚀工艺

● 类金刚石（DLC）沉积

● 二氧化硅和石英刻蚀

● 用特殊配置的PlasmaPro FA设备进行失效分析的干法刻蚀解剖工艺，可处理封装好的芯片, 裸晶片，以及200mm晶圆

● 用于高亮度LED生产的硬掩模的刻蚀

系统特点

● 小型系统 —— 易于安置

● 优化的电极冷却系统 —— 衬底温度控制

● 高导通的径向（轴对称）抽气结构 —— 确保能提升工艺均匀性和速率

● 增加<500毫秒的数据记录功能 —— 可追溯腔室和工艺条件的历史记录

● 近距离耦合涡轮泵 —— 抽速高迅速达到所要求的低真空度

● 关键部件容易触及 ——系统维护变得直接简单

● X20控制系统——大幅提高了数据信息处理能力，并且可以实现更快更可重复的匹配

● 通过前端软件进行设备故障诊断 —— 故障诊断速度快

● 用干涉法进行激光终点监测 —— 在透明材料的反射面上测量刻蚀深度（例如硅上的氧化物），或者用反射法来确定非透明材料（如金属）的边界

● 用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测 —— 监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测

RIE of InP waveguide

7 µm polyimide feature RIE

Sub µm Si mesa etch

Deep Si feature etch by ICP-RIE

cryo process

Failure analysis - fast metal layer

exposure in the PlasmaPro FA ICP

新增: PTIQ软件

PTIQ是针对PlasmaPro和Ionfab工艺系统而开发的最新智能软件解决方案。

● 对响应系统出色的控制水平

● 最大化系统性能与工艺性能

● 多级别软件配置以匹配用户需求

● 全新的视觉布局与设计界面

似空科学仪器（上海）有限公司为您提供牛津仪器Oxford RIE反应离子刻蚀机PlasmaPro 80PlasmaPro 80 RIE，牛津仪器PlasmaPro 80 RIE产地为英国，属于等离子体表面处理仪，除了Oxford RIE反应离子刻蚀机PlasmaPro 80的参数、价格、型号、原理等信息外，还可为您提供HAMAMATSU 日本滨松EMMI/OBIRCH微光显微镜PHEMOS系列、SAMCO RIE等离子蚀刻设备 RIE-10NR,似空科仪客服电话400-860-5168转4452，售前、售后均可联系。

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售后服务

产品货期： 90天
培训服务：安装调试现场免费培训；提供付费培训

型号：	PlasmaPro 80 RIE
产地：	英国
品牌：	牛津仪器
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