PE-ALD 等离子体增强--原子层沉积

PE-ALD 等离子体增强--原子层沉积

参考价:¥120万
型号: PE-ALD 等离子体增强--原子层沉积
产地: 德国
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PE-ALD 等离子体增强--原子层沉积


ALD逐层沉积,在三维形貌沉积中保持高的均匀性,通过工艺过程中分步添加前置物,可以准确的控制膜厚和薄膜特性折射率和消光系数。PE-ALD是一种先进的方法,通过将自由基(radical)的气体样品,而不是水(沉积过程中作为氧化物oxidizer)。

ALD逐层沉积,在三维形貌沉积中保持高的均匀性,通过工艺过程中分步添加前置物,可以准确的控制膜厚和薄膜特性折射率和消光系数。PE-ALD是一种先进的方法,通过将自由基(radical)的气体样品,而不是水(沉积过程中作为氧化物oxidizer)。

第一台PE-ALD,目前已经安装在TU Braunschweig。用于沉积Al2O3 ZnO。新的ALD系统,包括热和等离子体辅助工艺,并使用SENTECH的椭偏仪监控沉积。SENTECH提供前沿的超快在线的激光椭偏仪或光谱椭偏仪,监控薄膜的生长.
对于沉积Al2O3, TMA (C3H9Al) 和等离子体产生氧原子,衬底温度80?°C - 200?°CPEALD薄膜具有高的膜厚均匀性和小的折射率变化。

 


北京亚科晨旭科技有限公司为您提供PE-ALD 等离子体增强--原子层沉积,nullPE-ALD 等离子体增强--原子层沉积产地为德国,属于进口原子层沉积设备,除了PE-ALD 等离子体增强--原子层沉积的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供PICOSUN®R-200高级ALD镀膜设备,ASTchian客服电话400-860-5168转4552,售前、售后均可联系。

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