型号: | E-Beam Lithography |
产地: | 其他国家 |
品牌: | |
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电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography)
电子束直写系统 、 电子束曝光系统
纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作的方法之一。
技术参数:
1.最小线宽:小于10nm(8nm available)
2.加速电压:5-50kV
3.电子束直径:小于2nm
4.套刻精度:20nm(mean+2σ)
5.拼接精度:20nm(mean+2σ)
6.加工晶圆尺寸:4-8英寸(standard),12英寸(option)
7.描电镜分辨率:小于2nm
主要特点:
1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪
2.出色的电子束偏转控制技术
3.采用场尺寸调制技术,电子束定位分辨率(address size)可达0.0012nm
4.采用轴对称图形书写技术,图形偏角分辨率可达0.01mrad
5.应用领域广泛,如微纳器件加工,Si/GaAs 兼容工艺,研究用掩膜制造,纳 米加工(例如单电子器件、量子器件制作等),高频电子器件中的混合光刻(Mix & Match),图形线宽和图形位移测量等。
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