| 型号： | SU-8 2000系列 |
| 产地： | 上海 |
| 品牌： | 倍品 |
| 评分： |
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| 产品 | 应用 | |
| 进口硅片 | 直径:2~8英寸;掺杂:N/P;晶向:<100>/<110>/<111>;电阻率:0.001~20000Q.cm | |
| 国产硅片 | 直径:2~8英寸;掺杂:N/P;晶向:<100>/<110>/<111>;电阻率:0.001~20000Q.cm | |
| 高阻硅片(进口) | FZ硅片 | 直径:2~8英寸;掺杂:N/P;电阻率:10Q.cm~20kΩ.cm及以上 |
| MCZ硅片 | 直径:2~8英寸;掺杂:N/P;电阻率:10Q.cm~20kQ.cm及以上 | |
| 测试片 | 直径:2~8英寸,该类片可作为工艺陪片使用,或者作为对电学性能没有要求的正片使用 | |
| 外延片 | 直径:2~8英寸,根据用户提供的衬底和外延层详细指标进行定制 | |
| 氧化硅片(国产/进口) | 直径:2~8英寸;氧化层厚度:200A~20um;氧化层厚度>3um,需根据用户需求定制 | |
| Dummy | 直径:2~12英寸;一般作为没有洁净度要求的单项工艺测试 | |
| SOI硅片 | 直径:4~8英寸;根据用户提供顶层硅、氧化硅、载片这三层的指标参数,检索库存或特殊定做 | |
| 其他特殊硅片 | 1.超厚硅片2.招薄硅片3.金属化硅片(硅片表面镀有各类金属,Cr,Ti,Ni,Cu,Au ,Pt等)4.氮化硅硅片(普通LPCVD生长,或低应力SiN)5.超平硅片6.特殊晶向硅片 | |
| 7740玻璃片(Corning)BF33玻璃片(Sochott) | 直径:4～8英寸;厚度:300um~5mm,参数及包装标准:表面光洁度:<0.5nm(两面光学研磨);可定制切边:32.5±1mm(4寸);导角:0.05~0.2mm | |
| 石英片 | 直径:2~6英寸;厚度:200um~5mm;分为单晶石英片和熔融石英玻璃片 | |
| 铌酸锂,钽酸锂GaNd等特殊材质衬底 | 直径:2~4英寸 | |
| 砷化镓片 | 直径;2~6英寸;晶向;<100> | |
| 蓝宝石 | 直径;2~6英寸;晶向;CA.R.M等.厚度:200um~1mm | |
产品型号
| 类型 | 型号 | 光源 | 胶厚 | 适用范围 |
| 微流控胶 | SU-8 2000系列 | Near UV(350-400nm),推荐i-Line,也可用于E-beam,X-ray | 0.5-650um | 高深宽比,垂直性好,耐高温,光学透明,适用于MEMS工艺,钝化层,微流控以及光电子器件 |
| SU-8 3000系列 | 5-100um | 高深宽比,垂直性好,耐高温,光学透明,较2000系列具有更好的基底粘附性,更不易在工艺过程中产生内应力积累,适用于MEMS工艺,微流控,光电器件制作以及作为芯片绝缘、保护层使用 | ||
| HTG910 | -Line | 95-168um | 厚胶,适用于电镀 | |
| KMPR | Near UV(350-400nm),推荐i-Line,也可用于E-beam,X-ray | 5-115um | 高分辨率,垂直性好,显影适用TMAH&KOH,易去胶,耐干法刻蚀 | |
| SU-8干膜 | -Line | 5-1000um | 多种厚度选择,深宽比>5,粗糙度小,耐腐蚀 | |
| 电子束胶 | SML系列(耐刻蚀) | E-beam | 50-5000nm | EM RESIST,5nm线宽,高分辨率,高深宽比,垂直性好,耐刻蚀,与基底粘附性好 |
| PMMA国产 | E-beam | 40-7um | 高分辨率,涵盖40k-1000k多种分子量,适用于掩模版制作,金属剥离lift-off和电镀掩模等工艺 | |
| PMMA/MMA(进口) | E-beam,X-ray&deepUV imaging | 50-5000nm | MicroChem,950K,495K两种分子量,线宽<0.1um,与基底粘附性好,适用于电子束光刻,多层T-Gate剥离,晶圆减薄等 | |
| PMMA(进口) | E-beam | 30-2000nm | 高分辨率电子束胶,具有35K,120K,350K,495K,950K等多种分子量,适用于各种电子束光刻 | |
| SU-8GM1010 | E-beam,X-ray | 500-700nm | 可用于做高宽比较大的纳米结构 | |
| HSQ | E-beam,X-ray | 30-950nm | 高分辨率,耐刻蚀,垂直性好,最常用的电子束负胶 | |
| Lift-off胶 | ROL-7133 | g/h/i-Line | 2.2-4um | 负性光刻胶,倒角75~80°,粘附性好,使用普通正胶显影液,适用于制作金属电极或导线 |
| LOR/PMGI-SF | 与g/h/i-Line,DUV,193nm,E-beam光刻胶兼容 | 50nm-6um | 高分辨率,可用于<0.25um Lift-off工艺,粘附性好,良好的耐热稳定性,易去胶,作为双层胶的底层胶使用 | |
| HTIN160 | -Line | 1.2-2um | 高分辨率负胶,400nm线宽,高对比度、高宽容度、易去胶,应用于负胶光刻、ift-off工艺,制作电极,导线等. | |
| NLOF | i-Line | 1.8-12um | 感光性好,高分辨率,耐高温,适用于lift-off工艺 | |
| NR系列 | i-Line或g/h-Line | 0.5-20um | Futurrex,粘附性好,耐高温,适用于MEMS、封装、生物芯片等工艺 | |
| DUV光刻胶 | HTKN601系列 | 248nm | 0.4-1.2um | 高分辨率负胶,300nm线宽,适用于半导体的光刻工艺和金属剥离工艺 |
| RD1000 | 248nm | 150-300nm | 分辨率高,130nm线宽,国产深紫外光刻胶,已经在量产单位规模使用 | |
| 正胶 | HTI751 | -Line | 0.8-1.2um | 国产高分辨率正胶,0.35um线宽,高分辨率、低驻波效应、垂直度好,应用于MEMS、IC工艺 |
| RDP-8003(55cp) | i-Line,Broadband | 2.3-3.5um | 国产正胶,高分辨率,工艺宽容性高,应用于MEMS、IC、LED | |
| SPR955系列 | -Line | 0.7-3.5um | 分辨率高,0.35um线宽,广泛使用的高分辨率正胶 | |
| S18xx系列 | g-Line | 0.4-2.7um | 高分辨率正胶,0.5um线宽,粘附性好,最常用的薄光刻胶,稳定可靠 | |
| SPR220系列 | -Line | 1-10um | 粘附性好,耐干法/湿法刻蚀,适用于选择性电镀,深硅刻蚀等工艺 | |
| 负胶 | SU-8 GM10xx系列 | g/h/i-Line | 0.1-200um | 高深宽比,透明度高,垂直性好,适用干微细加工的机械结构(MEMS)和其他的微型系统 |
| SU-8Microchem系列 | Near UV(350-400nm)推荐i-Line,也可用于E-beam,X-ray | 0.5-650um | 高深宽比,垂直性好,耐高温,光学透明,适用于MEMS工艺,钝化层,微流控以及光电子器件 | |
| HTG910 | -Line | 60-140um | 适用于选择性电镀 | |
| NR26-25000P | -Line | 20-120um | 分辨率高,粘附性好,显影时间短,相对容易去胶 | |
| 临时键合胶 | 激光响应LB210+临时键合TB4130 | 激光响应波长308nm,355nm | 0.2-0.6um/10-40um | 激光拆键合,适用于器件晶圆减薄、背面工艺及室温无应力分离等工艺 |
| TB1202/1236 | 1-50um | 热滑移拆键合,适用于器件晶圆减薄拿持及其背面工艺等 | ||
| 键合胶 | PermiNex 1000 | i-Line | 1-32 um | 光敏负性,工作温度:<200℃,与硅和玻璃粘附性很好 |
| PermiNex 2000 | i-Line | 1-32 um | 光敏负性工作温度:<200℃、与硅和玻璃粘附性很好兼容水性显影液 |
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