方案摘要
方案下载| 应用领域 | 半导体 |
| 检测样本 | 集成电路 |
| 检测项目 | |
| 参考标准 | GB/T 6672 |
1.3 测量时探头与硅片接触面积不应超过2mm? 1.4厚度校正标准样片,厚度值的范围从0. 13 mm~1.3 mm,每两片间的间隔为0.13mm士0.025 mm. .
硅片又称硅晶圆片， 是制作集成电路的重要材料，首先我们先了解下硅片的分类：
1）按照硅片尺寸分类，可分为6英寸及以下硅片、8英寸硅片和12英寸硅片，8英寸硅片和12英寸硅片是市场主流产品。【8英寸硅片】中，8英寸抛光片主要用于传感器和低制程驱动芯片；8英寸外延片用于功率器件、PMIC和CIS。【12英寸硅片中】，12英寸抛光片用于NAND闪存芯片和DRAM内存芯片；12英寸外延片用于CIS、CPU/GPU等逻辑芯片以及MOSFET/IGBT等功率器件。
2）按照产品工艺分类，研磨片、抛光片、外延片
研磨片对硅单晶锭进行切割、研磨等加工得到的厚度小于1mm的圆形晶片，是制作硅抛光片及硅外延片的中间产品，也可以用于制作分立器件芯片
抛光片轻掺硅抛光片，应用于大规模集成电路的制造，也部分用作硅外延片的衬底材料重掺硅抛光片，一般用作硅外延片的村底材料轻掺杂衬底外延片，可以提高CMOS栅氧化层完整性、改善沟道漏电、提高集成电路可靠性。
外延片 重掺杂衬底外延片，结合了重掺杂衬底片和外延层的特点，器件反向击穿电压的同时又能有效降低器件的正向功耗。
二、硅片厚度测试方法
1）分立点式测量
在硅片中心点和距硅片边缘6 mm圆周上的4个对称位置点测量硅片厚度。其中两点位于与硅片主参考面垂直平分线逆时针方向的夹角为30°的直径上,另外两点位于与该直径相垂直的另一直径上(见图1)。硅片中心点厚度作为硅片的标称厚度。5个厚度测量值中的厚度与***小厚度的差值称作硅片的总厚度变化。
2）扫描式测量
硅片由基准环上的3个半球状顶端支承,在硅片中心点进行厚度测量,测量值为硅片的标称厚度。然后按规定图形扫描硅片表面,进行厚度测量,自动指示仪显示出总厚度变化。扫描路径图见图2。
检测仪器：
PTT-03A厚度测试仪
1. 接触式测厚仪
标准要求 测厚仪由带指示仪表的探头及支持硅片的夹具或平台组成。
1.1测厚仪应能使硅片绕平台中心旋转,并使每次测量定位在规定位置的2mm范围内。
1.2仪表小指示量值不大于 1 pm。
1.3 测量时探头与硅片接触面积不应超过2mm?
1.4厚度校正标准样片,厚度值的范围从0. 13 mm~1.3 mm,每两片间的间隔为0.13mm士0.025 mm. .
四、厚度要求
1. 接触式测量
1.1对于接触式厚度测量,单个实验室的2o标准偏差小于4. 3 μm,多个实验室间的度为士0.4%.
1.2对于接触式总厚度变化测量,单个实验室的2o标准偏差小于3.6μm,多个实验室间的度为土32%。
文献贡献者
非血管内导管 第1部分:一般性能试验方法-耐液压泄漏试验方法
保护膜180度剥离试验方法
异形导管的密封性能测试
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