型号: | customized |
产地: | 德国 |
品牌: | 爱思强 |
评分: |
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1. 产品概述
MOCVD设备是通过将反应物质以有机金属化合物气体分子的形式,经载带气体送到反应室,进行热分解反应而生长出薄膜材料。应用方向:Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等。
2. 设备用途/原理
应用方向:Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等;
MOCVD设备是通过将反应物质以有机金属化合物气体分子的形式,经载带气体送到反应室,进行热分解反应而生长出薄膜材料;
加热系统:采用钨丝加热,三温区控制,最高温度至1400℃;
反应腔室内托盘与喷淋头间距可调(范围覆盖5 mm至25 mm);
工艺过程中,具有实时晶圆表面温度和晶圆翘曲度监测功能;
搭载温度监测系统,可实时扫描晶圆温度mapping图。
3. 设备特点
从研发到大规模生产;
衬底尺寸:3x2 inch、1x4 inch、1x3 inch、1x2 inch;
通过载波交换实现:6 x 2 inch、3 x 3 inch、1 x 6 inch;
Ga2O3薄膜生长速率:>3um/h;
Ga2O3薄膜表面粗糙度:5umx5um范围由AFM在Ga2O3衬底上测量 ≤1.0 nm。
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