化学气相沉积MOCVD

化学气相沉积MOCVD

参考价:¥1
型号: customized
产地: 德国
品牌: 爱思强
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产品详情

1. 产品概述

MOCVD设备是通过将反应物质以有机金属化合物气体分子的形式,经载带气体送到反应室,进行热分解反应而生长出薄膜材料。应用方向:Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等。

2. 设备用途/原理

应用方向:Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等

MOCVD设备是通过将反应物质以有机金属化合物气体分子的形式,经载带气体送到反应室,进行热分解反应而生长出薄膜材料;

加热系统:采用钨丝加热,三温区控制,最高温度至1400℃;

反应腔室内托盘与喷淋头间距可调(范围覆盖5 mm至25 mm);

工艺过程中,具有实时晶圆表面温度和晶圆翘曲度监测功能;

搭载温度监测系统,可实时扫描晶圆温度mapping图。

3. 设备特点

从研发到大规模生产

衬底尺寸:3x2 inch、1x4 inch、1x3 inch、1x2 inch

通过载波交换实现:6 x 2 inch、3 x 3 inch、1 x 6 inch

Ga2O3薄膜生长速率:>3um/h

Ga2O3薄膜表面粗糙度:5umx5um范围由AFM在Ga2O3衬底上测量 ≤1.0 nm


深圳市矢量科学仪器有限公司为您提供爱思强化学气相沉积MOCVDcustomized,爱思强customized产地为德国,属于进口化学气相沉积设备,除了化学气相沉积MOCVD的参数、价格、型号、原理等信息外,还可为您提供更多化学气相沉积设备,客服电话,售前、售后均可联系。

售后服务
  • 产品货期: 60天
  • 培训服务: 安装调试现场免费培训

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