型号: | customized-17 |
产地: | 德国 |
品牌: | MCF |
评分: |
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1. 产品概述:
MCF 的化学机械抛光机 CMP 是一种用于半导体制造等领域的关键设备,主要通过机械研磨和化学液体溶解 “腐蚀” 的综合作用,对半导体材料(如晶圆)进行研磨抛光,以实现材料表面的平坦化处理,为后续的半导体器件制造工序(如光刻、蚀刻等)提供高质量的平整表面。
2. 设备应用:
· 半导体集成电路制造:在半导体芯片的生产过程中,用于对晶圆进行平坦化抛光,确保晶圆表面的平整度和光洁度,满足芯片制造中对多层结构和精细线路的要求,例如在逻辑芯片、存储芯片等的制造中,CMP 是实现高性能芯片的重要工艺环节。
· 其他电子元件制造:对于一些对表面平整度要求较高的电子元件,如光电器件、MEMS 器件等,该化学机械抛光机也可用于其制造过程中的表面处理,提升元件的性能和可靠性。
3. 设备特点:
1. 该化学机械抛光机可用于各类半导体集成电路、氧化物、金属、STI、SOI等产品的CMP平坦化抛光。 通过更换抛光头可兼容4、6、8英寸晶圆
2. 系统功能:手动上下片,程序自动进行抛光,配有终点监测装置,配置半自动loading & unloading托盘系统,8寸规格,方便8寸晶圆上下片
3. 抛光数据监测:具有摩擦力监测功能
4. 配备红外温度计实时监测抛光过程中抛光垫表面温度
4. 产品参数:
1. 抛光盘直径≥20inch(508mm) 转速范围:30-200rpm
2. 抛光头wafer加压方式:气囊加压,带有背压功能
3. wafer压力控制范围:70-500g/cm2
4. 保持环压力控制范围:70-700g/cm2
5. 抛光头转速范围:30-200rpm 摆动幅度:±10mm
6. 抛光液供应系统:3个可调流量蠕动泵供液,3路独立的抛光液通道,滴液位置可调
7. 配置摩擦力&温度终点监控系统:含专用监测软件,带有End point detection功能
8. 控制系统:PC工控机控制,触摸屏操作,可存储20个加工程序,加工程序最多可设6个不同加工阶段
9. 均匀性 (1sigma,EE(Edge Exclusion):5mm)
片内非均匀性WIWNU≤5%
片间非均匀性WTWNU≤5%
实际参数可能会因设备的具体配置和定制需求而有所不同。
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