| 型号： | NA-1300系列 |
| 产地： | 日本 |
| 品牌： | 爱发科 |
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1 产品概述:
去胶设备通过不同的技术和方法去除物体表面的杂质。在电子行业中，等离子去胶机是一种先进的去胶设备，它利用等离子体中的高能粒子对光刻胶进行轰击，使其发生化学反应和物理剥离，从而实现去除光刻胶的目的。等离子去胶机通常包括反应室、等离子体发生器、控制系统和真空系统等关键部件。
2 设备用途：
去胶设备的用途广泛，特别是在电子、汽车、化工、建筑等多个领域。在电子行业中，去胶设备主要用于：
半导体制造：去除硅基半导体及化合物半导体表面的光阻灰化、高剂量离子注入后的光刻胶残留、晶圆表面的残胶和污染物等。
晶圆级封装：在晶圆级封装的前处理工艺中，去除晶圆表面的污染物和杂质，提高封装质量。
电路板制造：去除印刷电路板表面的胶层，提高电路板的精度和可靠性。
3 设备特点
高效性：等离子去胶机去胶速度较快，可以在较短的时间内完成大量样品的处理，提高生产效率。
环保性：相比化学去胶方法，等离子去胶机不需要使用有害的化学试剂，处理过程中不会产生有毒废物，对环境的影响较小。
可控性：通过调节等离子体的参数（如功率、气压、气体种类等），可以精确控制去胶的速度和效果，满足不同工艺需求。
兼容性：等离子去胶机适用于各种类型的光刻胶和底层材料，且对底层材料的损伤较小。
集成性：可以与其他等离子体工艺（如等离子体清洗、等离子体蚀刻等）集成在同一设备中，实现全自动化生产，提高生产效率。
4 技术参数和特点：
次世代晶圆工艺必须的 1 x 1016atoms/cm2以上离子注入剥离工艺、PI去除工艺中，可实现低颗粒工艺。
添加F系气体工艺适合的腔体构成，可对应低颗粒需求。因此，从普通PR到离子注入剥离、有机膜剥离（PI，DFR等）、氧化膜刻蚀等
非常广泛的工艺均可对应。
采用简单的设备构成可同时实现“维修性·信赖性”。
有弹性的腔体构成选择（μ波、RIE、μ波＋RIE），可实现丰富的搬送路经。
仅设定工艺菜单即可切换晶圆尺寸，晶圆尺寸容易实现。
道后端工艺的离子注入剥离工艺(1 x 1016atoms/cm2以上)的PI除去
添加CF4工艺必要的晶圆工艺(电子部件・LED)
芯片封装的BUMP工艺
CCD颜色过滤膜的制造工艺
添加CF4工艺必要的晶圆工艺(电子部件・LED)
芯片封装的BUMP工艺
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