| 型号： | ELS-BODEN |
| 产地： | 日本 |
| 品牌： | ELIONIX INC. |
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1 产品概述:
电子束光刻（E-beam Lithography，简称EBL或EBD）设备，是在电子显微镜基础上发展起来的一种用于微电路研究和制造的曝光技术。它作为半导体微电子制造及纳米科技的关键设备，主要通过高能量电子束与光刻胶的相互作用，实现高精度的曝光和图形制作。电子束光刻设备主要包括电子光学系统、图形发生器系统、真空系统以及高精度运动系统等核心组件。
2 设备用途：
电子束光刻设备具有广泛的应用域，主要包括：
半导体制造：用于制作光刻掩模版，是半导体芯片制造中不可或缺的一部分。特别是在EUV光刻机掩模版的制作上，目只能依赖于电子束光刻技术。
纳米科学技术研究：由于电子束光刻具有高的分辨率，它能够制造出微米甚至亚微米别的精细结构，因此在纳米科技域有着广泛的应用。
集成电路制造：在集成电路的制造过程中，电子束光刻技术用于制作高精度、高密度的芯片结构，提高芯片的性能和可靠性。
3 设备特点
电子束光刻设备具有以下显著特点：
高分辨率：相比于传统光刻技术，电子束光刻技术可以实现更高的分辨率，能够制造出更精细的图案和结构。
高精度：电子束光刻设备具有高的制造精度，能够满足微纳加工域对精度的严格要求。
灵活性：电子束光刻技术可以灵活曝光任意图形，适应不同形状和尺寸的加工需求。
高速度：现代电子束光刻设备已经实现了高速、连续的加工过程，大大提高了生产效率。
真空环境：设备中的真空系统提供了稳定的真空环境，消除了空气对加工过程的干扰，保证了设备的稳定性和生产效率。
4 技术参数和特点：
电子枪 | ZrO/W 热场发射型 | |||
加速电压 | 50 kV | |||
光束电流 | 1 nA ～ 800 nA | |||
小光束直径 | D 2.8 nm | |||
标准写场大小 | 1000 μm | |||
小/大写场大小 | 小 100 μm 大（选项）3000 μm | |||
扫描频率 | 大 100 MHz | |||
发射间距 | 小 0.2 nm | |||
大试样尺寸 | 8” 晶片 / 12” 晶片 | |||
大绘图区域 | 200 mm x 200 mm / 300 mm x 300 mm | |||
搬送机构 | 单自动加载器 多自动加载器 机器人装载机 | |||
Software | elms 束流调整功能 曝光文件功能 图案数据转换功能 帐户管理功能 Python脚本 | |||
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