型号: | [TTT-02-Kerr Microscope] |
产地: | 江苏 |
品牌: | 托托 |
评分: |
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磁光克尔显微镜综合测试设备,显微磁畴空间分辨率优于0.5微米,磁光克尔角分辨率优于0.1毫度,支持极向克尔、纵向克尔、横向克尔三种磁光克尔效应测量方式。在追踪平面内数百万点的磁畴动态信息的同时,可搭配探针台实现电学、磁学、光学同步观测。广泛应用于磁学和自旋电子学领域中磁光克尔效应,磁滞回线,磁畴翻转或扩展动态等观测。
相较于传统的单点磁滞回线测量仪,磁光克尔综合测试平台,可以追踪平面内数百万点的实时磁性动态信息。结合该测试平台提供的直流探针,高频探针,样品的测试无比便捷。当下自旋电子学或磁学的研究,已经由磁性驱动的翻转,发展到了直流电流驱动、脉冲电流驱动、微波脉冲驱动、光驱动等一系列的激励源作用下的深度研究。
托托科技(苏州)有限公司提供的标准系统按照性能优先,稳定性优先的设计思路,可以满足实验室研究及工业生产中各种相关材料的测试需求。标准设备中提供了磁场激励、电流激励等多种选项,是客户在自旋特性研究中的得力测试平台。
更多的选项可以根据客户需求选择升级。
【产品特点】
l 智能照明系统
l 光源稳定且均匀
l 适配面内磁各向异性薄膜
l 高亮度(4倍于市场上产品)
(a)面内磁各向异性样品,纵向-磁光克尔测试装置示意图。
(b)为样品Pt(4 nm)/Co (5 nm)/Ta(2 nm)在磁场的驱动实现磁畴运动和翻转,磁矩“1”和“0”信息状态清晰可见。
(c)为样品的磁滞回线,纵坐标为归一化的磁光克尔信号,横坐标为面内扫描磁场。
(a)为样品Ta(4 nm)/CoFeB (0.7 nm)/MgO(2 nm)/Ta(2 nm)在磁场的驱动实现磁畴运动和翻转,树枝状磁畴,磁矩“1”和“0”信息状态清晰可见。彩色环带表示磁畴壁,白色小箭头表示的是奈尔畴壁中磁矩方向,表示磁畴运动方向。
(b)为样品CoTb(6 nm)/SiN(4 nm)在零磁场附近出现迷宫畴以及孤立斯格明子磁泡结构(Skyrmions Bubble),图中单个稳定的Skyrmions Bubble的尺寸为1μm。为研究基于SK-RM赛道存储器提供光学无损伤探测支持。
(a) M-H磁滞回线
(b) VAHE-H 反常霍尔回线
(c) Kerr-H 磁光克尔回线
CoFeB(0.8 nm)/Ta 样品,枝晶状磁畴结构
SiN/CoTb(6 nm),迷宫畴,斯格明子磁泡结构
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