后摩智能首款RRAM大容量存储芯片完成测试验证

据后摩智能官微消息，后摩智能近期已完成首款可商用的RRAM测试及应用场景开发，探测及证实了现有工业级的RRAM的技术边界，后续将与车规级应用场景结合。

据了解，后摩智能该款RRAM芯片能够满足在高质量/高安全性要求的商用场景，更新版本可以实现对车规级应用的支持，尤其是车载娱乐系统、部分低等级车规要求，在工业电子类/消费电子类，其功能/性能能满足对eFlash场景的替代，甚至能够改变原有计算架构，对只读/少读场景有较大的革命优势。

在功耗性能方面，该款RRAM芯片整体功耗低至60mW，支持power down模式，支持不同区域分别关断功能，支持sleep模式等，可以进一步在不同应用场景进行功耗控制。

后摩智能表示，可为客户提供先进非易失存储器，尤其是嵌入式的存储器的设计能力，逐步形成以0.5 MB ~ 128 MB范围的嵌入式存储器定制化服务，在此基础上提供不同容量的控制器解决方案、安全防护解决方案、产品定制化解决方案等。