新突破！镓仁半导体成功制备3英寸晶圆级(010)氧化镓单晶衬底
导读：2024年7月，杭州镓仁半导体打破技术纪录，成功培育出3英寸的（010）氧化镓单晶基底，达到全球领先，特别适合高效功率器件，已面向科研市场推出相应产品。
2024年7月，杭州镓仁半导体有限公司在氧化镓晶体的培育和基底加工方面实现了显著的技术突破。该公司成功制造了3英寸的（010）氧化镓单晶基底，这在国际范围内是已知的最大尺寸，标志着其技术达到了全球领先地位。
在氧化镓单晶基底的众多常见晶面中，（010）基底因其卓越的物理特性和外延生长能力而备受青睐。具体来说，（010）基底的热导率是最高的，这有助于提高功率器件的整体性能。此外，这种基底的外延生长速度也较快。更重要的是，基于（010）基底制造的器件展现出了更加卓越的性能表现。目前，镓仁半导体已经推出了其晶圆级的（010）氧化镓单晶基底产品，该产品主要面向科研市场，旨在满足科研界对（010）基底的需求，并推动产业界、学术界和研究机构之间的合作。
来源于：半导体信息
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