利普思半导体“一种功率模块结构”专利公布

天眼查显示，无锡利普思半导体有限公司“一种功率模块结构”专利公布，申请公布日为2024年8月9日，申请公布号为CN118471913A。

背景技术

图1示出了现有技术中功率模块结构示意图，如图1所示，功率模块通常包括依次层叠的基板、芯片、填充介质和外壳。为了提高功率模块的耐热性，通常采用具有高玻璃化温度的环氧树脂材料，这使得环氧树脂的硬度越来越高，特别是在大尺寸的功率模块中。图2示出了现有技术中环氧树脂内部应力分布图，如图2所示，大体积的环氧树脂固化后内部应力大且应力集中容易发生在芯片及其邻近区域，增加环氧树脂产生裂纹的风险，裂纹向芯片附近扩展容易导致芯片损坏。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

 图1                                                    图2

发明内容

本发明涉及一种功率模块结构，功率模块包括外壳、基板、底板、芯片和填充材料。外壳为中空结构，包括栅体，栅体两侧连接于外壳内，上端与外壳间隙配合。底板固定设置于外壳下端，基板设置于底板上，芯片电气连接于基板上端，填充材料填充于中空结构内。其中，栅体的位置不与芯片对应，栅体下端伸入填充材料中，将一部分填充材料分隔于栅体两侧，减小栅体两侧区域内填充材料的体积，填充材料固化后，减小了栅体附近区域应力集中的大小，改善了应力分布状态，降低了填充材料内产生裂纹以及裂纹扩散至芯片附近的可能性，提高了功率模块的使用寿命。