导读:上海积塔半导体有限公司研发新专利,采用飞秒激光与热氧化技术制造碳化硅(SiC)半导体装置,旨在提高其电气特性和功率阈值,以克服传统平面型存在的输出直流电阻大及沟道迁移率退化问题。
天眼查显示,上海积塔半导体有限公司“用于制造半导体装置的方法以及半导体装置”专利公布,申请公布日为2024年7月19日,申请公布号为CN118366850A。
背景技术
与硅(Si)相比,作为第三代半导体材料代表的碳化硅(SiC)具有大禁带宽度、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速率和强抗辐照性等更优越的电气特性。凭借SiC的电气特性,能够开发出更适用于高压、高温、高频、强辐射等应用领域的半导体装置,其中,SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field-EffectTransistor,MOSFET)更是倍受关注。
常用在高压低功耗场景下的SiC MOSFET分为沟槽型SiC MOSFET和平面型SiCMOSFET。垂直结构的平面型SiC MOSFET由于存在结型场效应晶体管(Junction Field-Effect Transistor,JFET)区,使得半导体装置的输出直流电阻较大,限制了半导体装置的功率阈值。此外,平面型SiC MOSFET有着因沟道离子注入导致的沟道迁移率退化问题。相比于传统的平面型SiC MOSFET,沟槽型SiC MOSFET没有JFET区,可以避免寄生JFET效应(例如JFET区产生的额外电阻),能够实现提高的晶圆密度,同时还具有更高的阻断电压、更好的开关特性和更低的导通损耗等改善的电学性能。
发明内容
本公开涉及用于制造半导体装置的方法以及半导体装置。一种用于制造半导体装置的方法,该方法包括:提供半导体基底,在半导体基底中形成有沟槽;用飞秒激光束照射半导体基底的与沟槽的第一部分邻接的第二部分,使得半导体基底的第二部分发生非热熔化;以及在完成飞秒激光束的照射之后,对半导体基底进行热氧化处理,使得半导体基底的第二部分形成氧化层。
来源于:仪器信息网
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