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反应式离子蚀刻机
性能特点 Capability Features:
用于失效分析的剥层分析解决方案群，世界顶尖反应式离子蚀刻机，物理沉移系统，原子层化学气相沉积系统.
RIE/PE and RIE-ICP FA system
这些灵活的失效分析工具可以实现从钝化层的去除到各项异性的氧化物的去除，从小管芯或已封装的器件到300mm直径的晶片整个范围的工艺.
去除氮化物钝化层后 刻蚀金属间介质后 四层金属暴露 金属间介质后的失效分析
优点:
- 工艺灵活，既可采用RIE/PE，也可采用ICP
- 先进的管芯工艺：采用等离子体加速器的刻蚀速率比标准的RIE工艺快20倍
产品范围：
- 可以处理300mm晶片的RIE/PE双模式设备
- 快速低损伤的模具刻蚀装置
- 处理200mm晶片的双模式设备
- 填充用的正硅酸乙酯（TEOS）工艺
应用:
- 各向同性的聚酰亚胺的去除（RIE或ICP模式）
- 各向同性的氮化物（钝化层）的去除（PE或ICP模式）
- 各向异性的氧化物（金属间介质/层间介质）的去除（RIE或ICP模式）
- 各向异性的低K值氧化物的去除（RIE或ICP模式）
- 金属支架的去除（RIE或ICP模式）
- 多晶硅的去除（RIE模式）
- 铝或铜的去除（ICP模式）
性能特点 Capability Features:
用于失效分析的剥层分析解决方案群，世界顶尖反应式离子蚀刻机，物理沉移系统，原子层化学气相沉积系统.
RIE/PE and RIE-ICP FA system
这些灵活的失效分析工具可以实现从钝化层的去除到各项异性的氧化物的去除，从小管芯或已封装的器件到300mm直径的晶片整个范围的工艺.
去除氮化物钝化层后 刻蚀金属间介质后 四层金属暴露 金属间介质后的失效分析
优点:
- 工艺灵活，既可采用RIE/PE，也可采用ICP
- 先进的管芯工艺：采用等离子体加速器的刻蚀速率比标准的RIE工艺快20倍
产品范围：
- 可以处理300mm晶片的RIE/PE双模式设备
- 快速低损伤的模具刻蚀装置
- 处理200mm晶片的双模式设备
- 填充用的正硅酸乙酯（TEOS）工艺
应用:
- 各向同性的聚酰亚胺的去除（RIE或ICP模式）
- 各向同性的氮化物（钝化层）的去除（PE或ICP模式）
- 各向异性的氧化物（金属间介质/层间介质）的去除（RIE或ICP模式）
- 各向异性的低K值氧化物的去除（RIE或ICP模式）
- 金属支架的去除（RIE或ICP模式）
- 多晶硅的去除（RIE模式）
- 铝或铜的去除（ICP模式）
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