金属、半导体、电阻测定装置
对于金属的相变,时效析出,再结晶反应
本装置是用直流四端子法,精密地测量金属合金,半导体的电阻。
用途:
对于金属相变,时效析出,再结晶的过程研究。
对于无形金属的再结晶的过程分析。
对于记忆形合金的研究。
测定各种半导体材料的温度VS电阻的关系。
特点:
可在定速升温,定温保持过程中测量材料电阻。
用直流四端子法进行高精度测量。
无热起电的影响。
技术指标:
测定温度范围 |
①-150~200℃ ②室温~最高1400℃ |
测定方式 |
自流四端子法 |
测定范围 |
100Ω~5×10-5 Ω |
试样台 |
φ10mm×100mm |
测定气氛 |
不活性气体,大气, 真空 |
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